株式会社ナノシステムズJPでは、Cu/Ni/Au/AuSnインターコネクトとパッケージング向けの標準半導体電気めっきと、X線LIGAレジストモールドへの高アスペクト比3D金属マイクロ構造向け電鋳を提供します。
スーパーフィル（ボトムアップ）添加剤電解液を使用したTSV・TGVの完全ボイドフリー銅充填。Via底部から上向きにCuが成長し、継ぎ目なしの均一充填を実現。SEM断面で確認。アニール処理（~400°C N₂）でCu粒子再結晶。3D-IC・インターポーザ向け。
TSV・TGV側壁への共形（非充填）Cu またはNiめっき。拡散バリア・RFシールド層・RF MEMSとミリ波パッケージング向けRF同軸Viaとして使用。Via中央は開放のまま。
AlN・Al₂O₃セラミック基板への銅直接めっき（DPC）プロセス。Ti/Cuスパッタ密着層で非導電性セラミック表面にCu電気めっきを可能にします。SiC/GaNパワーモジュールのパワーエレクトロニクスパッケージング向け。精細ピッチCuトレース対応。
デバイスによって必要な表面仕上げは異なります。Auはワイヤボンド・ACFボンドパッド標準。AuSn 80/20共晶は気密パッケージとレーザーダイオード搭載向け。インジウム（In）は156°C低温ボンディング - IRディテクタFPA・極低温デバイス・フォトニクス共パッケージング向け。Rh/Ru/Ptは耐食性コンタクト向け。
外部電流を印加できないウェーハ（アクティブパワーデバイス・脆弱な薄膜構造・完全処理済みCMOS）でも、はんだ付けやワイヤボンドに対応するUBMを形成できます。ENIG（Ni/Au）またはENEPIG（Ni/Pd/Au）。SiC・GaN・IGBT。AEC-Q対応。
SnAg 96.5/3.5はんだバンプ（フリップチップ組立向け）。ピッチ100µmから、バンプ高さ20〜100µm。4〜12インチウェーハ対応。めっき後リフロー。鉛フリー・RoHS対応。
標準はんだ温度を許容できない組立向け。インジウム（In）は156°Cで溶融 - SnAgの220°Cより十分低い。HgCdTe・InSb・InGaAs IRアレイ。極低温デバイス。CTE不整合コンプライアンス向けIn/SnAg積層。カスタム合金比。
X線LIGAレジストモールドへの電鋳で高アスペクト比ニッケルマイクロ構造を製造。最小径1µm。アスペクト比最大100:1。マイクロポアメンブレン・マイクロニードル・フィルターメッシュ・NILモールドに使用。
高硬度・耐摩耗性・生体適合性向上のためのパラジウムニッケル（Pd-Ni）およびニッケルコバルト（Ni-Co）電鋳。ライフサイエンスと医療デバイスアプリケーションの生体適合性評価付きPd-Ni。精密モールド向けNi-Co。
電解・無電解・DPCのめっきプロセス選択は、基板導電性・電極材料・熱予算・表面化学によって決まります。
電解・無電解フローで処理する標準Si 4〜12インチウェーハ。超薄ウェーハは60µmまで取り扱い対応。Al/AlSi/AlSiCu電極への無電解Cu厚付けとENIG/ENEPIG。FD-SOIと標準SOI対応。
SiCとGaN-on-Siパワーデバイスは、ダイアタッチリフロー・ワイヤボンド・動作温度に耐えるUBMが必要です。無電解Ni/Au・ENEPIG・無電解厚付けCu（≥5µm）。AEC-Q対応。
RFフロントエンド・フォトニクス集積回路・IRイメージングデバイス向けGaAs・InP・GaN・InGaAs・関連化合物基板。In バンプ - IR FPA。Au · AuSn · SnAg対応。
光学MEMS・フォトニクスパッケージング・マイクロ流体チップ向けガラス基板 - 溶融石英・ホウケイ酸・TGV用大型フォーマットガラス。TGV Cu充填。共形TGV Ni/Cu。4〜8インチ。
AlN（170 W/m·K）とAl₂O₃パワーモジュール基板。Ti/Cuスパッタ密着層でDPCを実施。SiC · GaNパワーモジュール。精細ピッチCuトレース対応。
GaN-on-サファイアLED・RFデバイス向けサファイア。フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス向けポリイミド・樹脂基板。個片チップ・角型基板対応。特殊品はお問い合わせください。
LIGA（リソグラフィ・ガルバノフォルミング・アブフォルミング）はX線リソグラフィ・電鋳・モールド成形を組み合わせて、UV光学では物理的に実現不可能な精密3D金属マイクロ構造を製造します。
| プロセス | 方式 | 主要仕様 | 応用 |
|---|---|---|---|
| Cu TSV/TGV充填 | スーパーフィル電気めっき | ボイドフリー、SEM確認 | アニール ~400°C；300mmウェーハ + 大型パネル |
| DPC（セラミック） | AlN/Al₂O₃へのCu電気めっき | Ti/Cuスパッタシード層経由 | SiC/GaNパワーモジュール基板 |
| In（インジウム） | 電解 | 純In · 156°C融点 · 5〜30µmバンプ | IRディテクタFPA · 極低温 · フォトニクス共パッケージ |
| SnAg合金 | 電解 | 96.5/3.5標準；カスタム比率も可 | フリップチップ · ピッチ100µmから · 高さ20〜100µm |
| Ni / Au / AuSn | 無電解 + 電解 | MEMSコンタクト · UBM · フリップチップ | ENIG/ENEPIG · AuSn 80/20共晶 |
| Cu/Ni/Au · Cu/Ni/SnAg · Cu/Ni/In | 電解スタック | 組み合わせめっき · ピッチ ≥3µm L/S | マイクロバンプ · 精細ラインRDL配線 |
| 無電解厚付けCu | 無電解 | ≥5µm · Al電極直接 | Cuワイヤボンド · Cuシンター · 高電流SiC |
| 共形TSV/TGV | Cu またはNi共形めっき | 側壁のみ · Via開放 | RF同軸Via · mmWaveシールド |
| LIGA · Ni | PMMAモールドへの電鋳 | 径 ≥1µm · AR最大100:1 | マイクロポア · マイクロニードル · フィルター |
| LIGA · Pd-Ni | PMMAモールドへの電鋳 | 生体適合性 · 耐食性 | ライフサイエンス · 埋め込み型デバイス |
| LIGA · Ni-Co | PMMAモールドへの電鋳 | 高硬度 · 耐摩耗 | 精密モールド · 機械部品 |
3D積層・2.5Dインターポーザ向けボイドフリーCu TSV充填。シリコンフォトニクスフリップチップ向けAuSnバンプ。Ni/Au UBM（ENIG/ENEPIG）。3D-IC · 2.5Dインターポーザ向けRDLシード層。
LIGA電鋳による精密細孔サイズ（1µmから）のニッケルマイクロポアメンブレン。マイクロろ過・細胞選別・乳化向けに使用。細孔径と均一性がアプリケーション性能を決定。
経皮薬物送達と間質液サンプリング向け中空・solid Ni または Pd-Niマイクロニードルアレイ。LIGA電鋳によるµm径中空チャネル。生体適合Pd-Niで医療デバイス基準対応。
SiまたはポリマーオリジナルからのNi電鋳マスター・ワーキングモールド。Niモールドは数千回のインプリントサイクルに耐え、UV-NILおよびサーマルNILの量産に適しています。
IGBT・SiC MOSFET・GaNパワーモジュールパッケージング向けAlN・Al₂O₃セラミック基板への銅直接めっき（DPC）。高熱伝導セラミックのCu配線。精細ピッチ対応。
RF MEMSとmmWaveパッケージングの同軸フィードスルー構造向けTGVへの共形Cuめっき。中央の信号導体をCu/Niシールドリングで囲む構造。20〜40dBアイソレーション。5G/6G FEM対応。
DRIEでViaをエッチング、PECVDでライナー成膜、スパッタリングでシード層形成、電気めっきで充填を連続して実施。外部ベンダーへの転送なし。シームレスなTSV製造フロー。
Ni · Pd-Ni · Ni-CoのLIGA電鋳で1µm径フィーチャーを製造。この能力を持つ施設は世界に十数か所しかありません。マイクロニードル・メンブレン・NILモールドに対応。
標準ウェーハレベルめっきと同一施設でAlN/Al₂O₃へのDPC（Direct Plating Copper）を提供。パワーデバイスパッケージングのためのセラミック基板Cuメタライゼーション。
ライフサイエンスと医療デバイスアプリケーション向けの生体適合性評価付きPd-NiとNi-Co電鋳。埋め込み型デバイスと体液接触コンポーネントに対応。
標準ウェーハ（最大300mm）とTGV・パネルレベルパッケージング向け大型フォーマットガラスパネルへの電気めっき。同一施設・同一プロセスでスケール対応。
単一ウェーハでめっきを試作して充填品質・応力レベル・表面仕上げを確認後、量産へ移行。最低ロットサイズなし。60µmまでの超薄ウェーハ取り扱い対応。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。エンジニアが1営業日以内にご返信いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。