全成膜方式 - 1つのファウンドリ
ほとんどのデバイスは複数の成膜工程を必要とします。スパッタ金属電極・PECVD誘電体絶縁膜・ALD ゲート酸化膜・MBEエピタキシャル成長がすべて同一デバイスに必要な場合もあります。当社では一つのプロジェクト内でこれらすべてを工程間の技術移転なしに調整します。
スパッタリング・Eビーム蒸着・熱蒸着
PVDは電極メタライゼーション・バリア層成膜・機能性薄膜形成の基盤です。100種類以上のスパッタリングターゲットを保有しています。
DCマグネトロンスパッタリング
最も汎用性の高いPVD方式。金属・合金・セラミック・透明導電膜に対応。大型基板全体で優れた膜厚均一性。低基板温度。
Al · Au · Ag · Pt · Cr · Cu · Ni · Ru · Ir · Zr · Ta · W · Rh · Re
反応性マグネトロンスパッタリング
成膜中にin-situ反応性ガスが化合物膜を形成。窒化物・酸化物・透明導電体を1ステップで成長。
AlN · TiN · TaN · TiW · SiN · ITO · AZO · GZO
機能性薄膜スパッタリング
圧電・強誘電体膜、電極膜、固体電解質膜のスパッタ成膜に対応します。材料と膜特性は、対象デバイスの用途に応じて検討します。
PZT · KNN · AlN · KTN（圧電・強誘電体） SIROF（電極コーティング）・LiPON（固体電解質）
Eビーム蒸着・熱蒸着
低汚染の高純度金属膜。リフトオフ加工に優れた適性。フリップチップパッケージング用AuSnはんだ成膜。
Au · Al · Ag · Ti · Cr · Cu · Sn · Pt · AuSn UBM
イオンプレーティング（IAD）
真空蒸着とイオン衝撃を組み合わせたイオンアシスト成膜。優れた密着性・膜密度・硬度。光学コーティングと耐摩耗ハードコート。
MgF₂ · Ta₂O₅ · Al₂O₃ · ハード金属
熱酸化膜
常圧炉による熱酸化膜：ドライ酸化100〜300 nm、ウェット酸化300 nm〜5 µm、150 mmまでのウェーハを1バッチ最大80枚で処理。より厚いSiO₂はPECVDまたはTEOSで対応します。低欠陥密度、優れた電気絶縁性、MOS構造向け高品質界面。
SiO₂（ウェット：〜5µm） · SiO₂（ドライ：〜300nm）
PECVD · LPCVD · LTPS · DLC
円形ウェーハと大型長方形基板の両方に、スパッタリング・蒸着・PECVDで対応します。4インチウェーハでの試作から500×600mmガラスパネルへの移行は、専任プロジェクトマネージャーのもとで一つのプロジェクトとして管理し、ルートごとのプロセス移管は技術レビューで確認します。
（Si・GaAs・SiC・InP...）
（オングストロームからミクロン）
ウェーハロット対応
CVDはガス相前駆体から膜を成長させ、複雑な3D構造・トレンチ・ビアへのコンフォーマルな被覆を可能にします。PECVDは400°C以下の低温で動作し、ポリマー基板とBEOL処理に対応します。
PECVD - プラズマエンハンストCVD
400°C以下の低温誘電体・半導体膜成膜。BEOLとポリマー基板に対応。
SiO₂ · SiN · SiON · a-Si:H · TEOS · PSG · NSG · DLC
PECVD SiN - 導波路グレード
光導波路アプリケーション向けに特別最適化された低温・低応力SiN。チューナブル屈折率と応力。導波路伝播損失のための最小吸収。
LPCVD - 低圧CVD
優れたステップカバレッジと均一性の高温・高品質膜。MEMSと半導体デバイスのポリシリコンゲート・犠牲層・熱酸化ライナーの標準。
LTO · SG/PSG · TEOS · ポリシリコン · a-Si
LTPS - 低温ポリシリコン
低温プロセスで結晶質シリコン。ガラス上のディスプレイとセンサー向けTFTバックプレーンに対応。アモルファスシリコンより高いキャリア移動度。
DLC - ダイヤモンドライクカーボン
PECVDによる硬質・化学的不活性カーボンコーティング。極めて高い硬度・耐摩耗性・低摩擦。MEMSウェアレイヤー・生体医療インプラント・工具コーティングに使用。
DLC · a-C:H · ta-C
水素化アモルファスシリコン
N型・P型・ノンドープのa-Si:H。薄膜太陽電池・平面検出器・TFT・MEMSの犠牲層に使用。ロールツーロール成膜にも対応。
a-Si:H（N）· a-Si:H（P）· a-Si:H（ノンドープ）
サブnm精度・高い段差被覆性
ALDは交互の自己制限型表面反応による成膜です。1サイクル当たりの成長量は材料とプロセスに依存します。トレンチ・ビア・3D MEMS構造の高アスペクト比部位への均一成膜が可能です。
Al₂O₃ - 酸化アルミニウム
最も広く成膜されるALD材料。GaN HEMTのゲート誘電体、GaAs/InP表面パッシベーション、OLED水分バリア、TSVライナー。TMA + H₂Oプロセス。
SiO₂ · TiO₂ · ZrO₂
SiO₂：MEMSキャパシタ・ビアライナー向け共形絶縁層。TiO₂：高屈折率光学コーティング・高k誘電体。ZrO₂：先進トランジスタノードとDRAMキャパシタ向け高kゲート誘電体（ε≈25）。
ALD優位性
3D構造へのコンフォーマル成膜（自己制限反応、1サイクルあたり1原子層未満）。サブnm膜厚制御。緻密で連続した膜。低プロセス温度（80〜300°C）。高アスペクト比構造への均一成膜はPVD/CVDでは困難です。
高精度エピ成長と大面積コーティング
MBE - 分子線エピタキシー
GaN/AlGaN MBE成長（HEMT・LED・パワーデバイス向け）。Al組成・ドーピング・層厚の精密制御。AlN エピタキシャル層（深UV LED・SAW/BAWレゾネータ向け）。IBAD光学コーティング（MgF₂・Ta₂O₅・Al₂O₃ 多層）。
ロールツーロール成膜
PET・ポリイミド（Kapton）・ポリカーボネートフィルムへの連続スパッタリング。フレキシブルタッチスクリーン用ITO。Cu箔上アモルファスSiリチウム電池アノード（R2R）。連続ロール長さ5000m以上、幅1000mm以上に対応。
連続ウェブ上でスパッタリング、リアクティブスパッタ、蒸着により成膜できる材料の代表例です。各材料の対応ルートは材料ライブラリでご確認いただけます。
全成膜材料一覧
当社の現行能力からの完全材料リスト。リストにない材料についてもお問い合わせください。
| カテゴリ | 材料 | 成膜方式 | 主な用途 |
|---|---|---|---|
| 標準金属 | Al · Au · Ag · Pt · Cr · Cu · Ni · Ru · Ir · Zr · Ta · W · Rh · Re | スパッタリング / Eビーム / 熱蒸着 | 電極・配線・シード層・ハードマスク |
| バリア・密着層 | TiN · TaN · TiW · SiN · Ti · TiO₂ | 反応性スパッタリング | Cu拡散バリア・密着促進・BEOLメタライゼーション |
| 機能性薄膜（圧電・電極・固体電解質） | PZT · KNN · AlN · KTN（圧電・強誘電体） SIROF（電極コーティング）・LiPON（固体電解質） | RFマグネトロンスパッタリング | MEMSアクチュエータ・BAWレゾネータ・固体電池 |
| 透明導電膜 | ITO · AZO · GZO | 反応性スパッタ / R2R | タッチパネル・太陽電池・OLEDアノード |
| ALD酸化膜 | Al₂O₃ · SiO₂ · TiO₂ · ZrO₂ | ALD | ゲート誘電体・GaNパッシベーション・OLEDバリア・高k |
| CVD誘電体 | SiO₂ · SiN · SiON · TEOS · PSG · NSG · LTO | PECVD / LPCVD | 層間誘電体・パッシベーション・エッチマスク・導波路クラッド |
| CVDシリコン | ポリシリコン · a-Si · a-Si:H（N/P/ノンドープ）· LTPS | LPCVD / PECVD | MEMS犠牲層・ゲート材料・TFT・リチウム電池アノード |
| 光学コーティング | MgF₂ · Ta₂O₅ · Al₂O₃ | IBAD / イオンプレーティング | 反射防止・HRミラー・バンドパスフィルター |
| III-N エピ | GaN · AlN · AlGaN · InGaN | MBE / MOCVD | HEMT・LED・深UV LED・レーザー・パワーデバイスエピ層 |
| AuSnはんだ | AuSn（80/20）· UBMスタック | 熱蒸着 / Eビーム（積層） | フリップチップボンディング・気密封止・レーザーダイアタッチ |
| DLC・カーボン | DLC · a-C:H · ta-C | PECVD | MEMSウェアレイヤー・ハードコーティング・生体医療 |
| 特殊膜 | SiRiN · LiPON · 熱SiO₂ | スパッタリング / 熱酸化 | 導波路・固体電池電解質・MOS ゲート品質SiO₂ |
成膜能力が活用される産業分野
シリコンフォトニクス・光学
低応力PECVD SiN導波路、SiO₂クラッド、ALDゲート酸化膜、光学干渉コーティング（MgF₂/Ta₂O₅）。
AlNエピタキシー
深UV LED・SAW/BAWレゾネータ・AlGaN/GaN HEMTバッファ層向けの窒化アルミニウムエピタキシャル層。高Al組成AlGaN向け高Al組成ターゲット。AlN-on-SiCで高品質結晶性。
LED · レーザーダイオード
HEMT・LED構造向けGaN/AlGaNエピタキシー。ITO透明電極。ダイボンディング用AuSnはんだ。金属コンタクトPVD。
パワーデバイス SiC · GaN
GaN HEMTへのALD Al₂O₃ゲート誘電体。SiC MOSFETへの熱SiO₂。TiN/TaN拡散バリア。オーミックコンタクト金属スタック。
MEMSセンサー・アクチュエータ
RFスパッタリングPZT圧電、LPCVD ポリシリコン構造層、PECVD SiNハードマスク、犠牲酸化膜。
RF · 5Gフィルター（BAW/SAW）
BAWレゾネータとフィルター用の反応性スパッタリングAlN圧電層。精密厚さ制御でレゾネータ周波数を設定。
薄膜電池・エネルギー
スパッタリングLiPON固体電解質、Cu箔上a-Siアノード（ロールツーロール）、カソード膜。
ディスプレイ・タッチ
ガラスまたはPET上のITO透明導電膜（ロールツーロール）、LTPSバックプレーン成膜、反射防止光学コーティング。
生体医療・インプラント
インプラント表面のDLCハード生体適合コーティング。神経インターフェース用SIROF刺激電極。Pt/Ir合金電極スパッタリング。
航空宇宙・熱管理
熱バリアコーティング、耐摩耗DLC・ハード金属膜、宇宙光学コーティング、腐食防止バリア酸化膜。
全成膜方式を専任プロジェクトマネージャーのもとで
PVD・CVD・ALD・MBE・IBAD・熱酸化・ロールツーロールをすべて専任プロジェクトマネージャーのもとで提供。プロセスフロー全体で工程分散なし。
圧電膜専門
PZT・AlN・KNN・LiNbO₃の配向制御成膜。汎用ファウンドリでは稀な専門能力。
500×600mm大型パネル
標準ウェーハと同じスパッタリングシステムで500×600mm長方形基板に対応。
完全パターニング統合
成膜の直後にフォトリソグラフィ・エッチング・リフトオフを一貫して提供。別々に見積もり不要。
SiPho向けAuSnはんだ
フォトニクスフリップチップと気密パッケージング向けの積層熱蒸着によるAuSn（80/20）UBM成膜。
NDA対応可
プロセス仕様は設計データ共有前にNDAで保護。最初のお問い合わせはNDA不要。
PVD・ALD・MBEを並べて
このラインで原子がウェーハに届く3つの方法：直進性を利用した成膜で、自己制限サイクルで、そしてUHVでのエピタキシーで。
「100種類以上の材料」の背後にある深み
株式会社ナノシステムズJPでは、100種類以上のスパッタリングターゲットと、ターゲット特性値（比抵抗・屈折率・応力・結晶方位）を実際に達成するためのプロセス知識を保有しています。
全成膜方式を専任プロジェクトマネージャーのもとで
PVD・CVD・ALD・MBE・IBAD・熱酸化・ロールツーロールをすべて1つのファウンドリで提供。プロセスフローは工程間を移動することなく完結します。
圧電膜専門
結晶方位制御によるPZT・AlN・KNN・LiNbO₃成膜。汎用ファウンドリとの差別化能力。BAWレゾネーター・MEMSアクチュエータ・エネルギーハーベスターの性能を左右します。
500×600mm 大型パネル対応
標準ウェーハと同一スパッタリングシステムで500×600mm矩形基板に対応。4インチウェーハから大型ガラスパネルまで同一プロセスでスケールできます。
完全パターニング統合
成膜後すぐにフォトリソグラフィ・エッチング・リフトオフが続くことが多い。すべてを調整して一括見積もりします。デポジションとパターニングを別々に発注する必要はありません。
SiPho向けAuSnはんだ
シリコンフォトニクスフリップチップ接合と気密封止向けAuSn（80/20）UBM成膜。積層熱蒸着による専門能力。汎用ファウンドリでは対応できない特殊工程です。
NDA対応可
成膜仕様・ターゲット材料・プロセスパラメータは設計データ共有前にNDAで保護できます。
材料から探す
元素記号、化合物名、用途で検索できます。周期表から元素を選ぶと、その元素を含む膜が表示されます。各材料には対応する成膜方法を記載しています。
材料一覧をテキストで表示（全145件）
| 材料 | 名称 | 対応する成膜方法 | 代表的な用途 |
|---|---|---|---|
| Al | アルミニウム | スパッタ, 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, ロールツーロール | 配線・反射膜・ボンディングパッド |
| Ag | 銀 | スパッタ, 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, ロールツーロール | 反射膜・高導電層 |
| Au | 金 | スパッタ, 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, めっき, ロールツーロール | パッド・UBM仕上げ・バンプ・ワイヤボンディング |
| B | ホウ素 | スパッタ | ドーピング層・中性子検出 |
| Bi | ビスマス | スパッタ, 抵抗加熱蒸着 | 熱電変換膜 |
| C | カーボン | スパッタ, PECVD | ハードマスク・導電カーボン |
| Co | コバルト | スパッタ, めっき | 磁性膜・シリサイド前駆 |
| Cr | クロム | スパッタ, 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, ロールツーロール | 密着層・フォトマスク遮光膜 |
| Cu | 銅 | スパッタ, 電子ビーム蒸着, めっき, ロールツーロール | シード・厚膜配線・TSV/RDL充填 |
| Fe | 鉄 | スパッタ | 磁性膜・合金層 |
| Ge | ゲルマニウム | 電子ビーム蒸着, スパッタ | 赤外光学・Al-Ge共晶接合 |
| Hf | ハフニウム | スパッタ | High-k前駆・バリア |
| In | インジウム | 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, めっき, ロールツーロール | 極低温バンプ・低温接合 |
| Ir | イリジウム | スパッタ | 電極・SIROF前駆 |
| Mg | マグネシウム | 抵抗加熱蒸着, スパッタ | 光学膜・ゲッター膜 |
| Mn | マンガン | スパッタ | バリア・合金層 |
| Mo | モリブデン | スパッタ, ロールツーロール | 裏面電極・電極・ハードマスク |
| Nb | ニオブ | スパッタ, 電子ビーム蒸着, ロールツーロール | 超伝導膜・電極 |
| Ni | ニッケル | スパッタ, 電子ビーム蒸着, めっき, ロールツーロール | UBM・拡散バリア・電鋳 |
| Pb | 鉛 | 電子ビーム蒸着 | 高鉛はんだバンプ |
| Pd | パラジウム | スパッタ, めっき | ENEPIG仕上げ・接点層 |
| Pt | 白金 | スパッタ, 電子ビーム蒸着, ロールツーロール | 電極・センサー・高温電極 |
| Re | レニウム | スパッタ | 高温電極 |
| Rh | ロジウム | スパッタ, めっき | 反射膜・接点仕上げ |
| Ru | ルテニウム | スパッタ, ALD | ライナー・電極 |
| Sb | アンチモン | 抵抗加熱蒸着 | 熱電変換膜 |
| Si | シリコン | スパッタ, 電子ビーム蒸着, LPCVD, PECVD, ロールツーロール | ドープ・高抵抗Si膜・犠牲層 |
| Sn | スズ | 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, めっき, ロールツーロール | はんだ合金・SnAgバンプ |
| Ta | タンタル | スパッタ | Cu用バリア・キャパシタ |
| Ti | チタン | スパッタ, 電子ビーム蒸着, ロールツーロール | ほぼすべてのスタックの密着層 |
| V | バナジウム | スパッタ | 合金・酸化物前駆層 |
| W | タングステン | スパッタ, ロールツーロール | プラグ・ハードマスク・X線吸収 |
| Y | イットリウム | スパッタ | YSZ・酸化物前駆 |
| Zn | 亜鉛 | スパッタ, 抵抗加熱蒸着, ロールツーロール | ZnO前駆・犠牲層 |
| Zr | ジルコニウム | スパッタ | バリア・酸化物前駆 |
| Al-Cu | Al-Cu 99.5:0.5 wt% | スパッタ | エレクトロマイグレーション耐性配線 |
| Al-Si | Al-Si 99:1 wt% | スパッタ | スパイク抑制コンタクト金属 |
| Al-Si-Cu | Al-Si-Cu 98.5:1:0.5 wt% | スパッタ | レガシーCMOS配線 |
| Al-Nd | Al-Nd 98:2 at% | スパッタ | ディスプレイ用ゲート金属 |
| Al-Sc | Al-Sc 99.9:0.1 wt% | スパッタ | 熱安定アルミ配線 |
| Al-Ti | Al-Ti 99.5:0.5 wt% | スパッタ | バリア一体型アルミ |
| TiW | TiW 10:90 wt% | スパッタ | 拡散バリア・UBM下地 |
| Ni-Cr | Ni-Cr 80:20 wt% | スパッタ | 薄膜抵抗・ヒーター |
| Ni-Cr-Si | Ni-Cr-Si 40:40:20 wt% | スパッタ | 高精度薄膜抵抗 |
| Ni-Fe | Ni-Fe パーマロイ 80:20 wt% | スパッタ, めっき | 磁気コア・シールド |
| Ni-V | Ni-V 93:7 wt% | スパッタ | 非磁性Niバリア |
| Cu-Ni | Cu-Ni 96:4・94:6 wt% | スパッタ | 抵抗膜・温度センサー層 |
| Cu-Cr | Cu-Cr 92:8〜96:4 wt% | スパッタ | 密着性を高めたCu層 |
| Co-Cr | Co-Cr 85:15 wt% | スパッタ | 磁気記録膜 |
| Co-Ni | Co-Ni 80:20 wt% | スパッタ, めっき | 磁性膜・電鋳構造 |
| Fe-Co | Fe-Co 70:30 at% | スパッタ | 高飽和磁化膜 |
| MoNb | MoNb | スパッタ | ディスプレイ電極 |
| APC | 銀合金反射膜（APC系） | スパッタ | 高反射ディスプレイ電極 |
| NiP | 無電解Ni-P | めっき | ENIG・ENEPIG UBM下地 |
| AuSn 80/20 | AuSn共晶はんだ | 電子ビーム蒸着, スパッタ, めっき | 気密ダイアタッチ・フォトニクス |
| AuSn 70/30 | AuSn 非共晶組成 | 電子ビーム蒸着, スパッタ | 融点調整が必要な接合 |
| SnAg 96.5/3.5 | SnAgはんだ | めっき | マイクロバンプ・Cuピラーキャップ |
| 95Pb/5Sn | 高鉛はんだ | 電子ビーム蒸着 | 高信頼性・宇宙用途 |
| Indium bumps | インジウムバンプ | 電子ビーム蒸着, 抵抗加熱蒸着, めっき | 極低温・赤外検出器実装 |
| AuGe | AuGe共晶 | 電子ビーム蒸着 | オーミック接点・ダイアタッチ |
| AuSi | AuSi共晶 | 電子ビーム蒸着 | シリコンへのダイアタッチ |
| Al₂O₃ | 酸化アルミニウム | ALD, リアクティブスパッタ, IBAD, ロールツーロール | バリア・誘電体・光学膜 |
| SiO₂ | 酸化シリコン | PECVD, LPCVD, ALD, 熱酸化, リアクティブスパッタ, ロールツーロール | 絶縁膜・パッシベーション・ハードマスク |
| SiO | 一酸化ケイ素 | 抵抗加熱蒸着 | 光学・保護膜 |
| TiO₂ | 酸化チタン | ALD, リアクティブスパッタ, IBAD, ロールツーロール | 高屈折率光学膜・光触媒 |
| Ta₂O₅ | 酸化タンタル | リアクティブスパッタ, IBAD, ALD, ロールツーロール | 光学膜・キャパシタ |
| HfO₂ | 酸化ハフニウム | ALD, リアクティブスパッタ | High-k絶縁膜 |
| ZrO₂ | 酸化ジルコニウム | ALD, リアクティブスパッタ | 熱バリア・誘電体 |
| YSZ | 安定化ジルコニア | スパッタ | バッファ層・固体電解質 |
| Nb₂O₅ | 酸化ニオブ | リアクティブスパッタ, IBAD, ロールツーロール | 光学多層膜 |
| Y₂O₃ | 酸化イットリウム | リアクティブスパッタ, IBAD | 耐プラズマ・光学膜 |
| MgO | 酸化マグネシウム | スパッタ | トンネルバリア・バッファ層 |
| ZnO | 酸化亜鉛 | リアクティブスパッタ, ALD, ロールツーロール | 圧電膜・透明導電膜 |
| WO₃ | 酸化タングステン | リアクティブスパッタ | エレクトロクロミック膜 |
| V₂O₅ / VO₂ | 酸化バナジウム | リアクティブスパッタ | サーモクロミック・ボロメータ |
| NiO | 酸化ニッケル | リアクティブスパッタ | ホール輸送層・抵抗変化膜 |
| CuO / Cu₂O | 酸化銅 | リアクティブスパッタ | 光電変換・センシング膜 |
| Fe₂O₃ | 酸化鉄 | リアクティブスパッタ | 磁性・触媒膜 |
| Mn₂O₃ | 酸化マンガン | リアクティブスパッタ | 電池・触媒層 |
| Ga₂O₃ | 酸化ガリウム | リアクティブスパッタ, ALD | ワイドギャップパワー・UV |
| Gd₂O₃ | 酸化ガドリニウム | リアクティブスパッタ | High-k・光学膜 |
| CeO₂ | 酸化セリウム | リアクティブスパッタ | バッファ層・研磨膜 |
| In₂O₃ | 酸化インジウム | リアクティブスパッタ | 透明導電膜の母材 |
| SnO / SnO₂ | 酸化スズ | リアクティブスパッタ, ロールツーロール | 透明導電膜・ガスセンサー |
| RuO₂ | 酸化ルテニウム | リアクティブスパッタ | 電極・抵抗膜 |
| SrTiO₃ | チタン酸ストロンチウム | スパッタ | エピバッファ・High-k |
| SrRuO₃ | ルテニウム酸ストロンチウム | スパッタ | 導電性酸化物電極 |
| BaTiO₃ | チタン酸バリウム | スパッタ | 強誘電体キャパシタ |
| LiNbO₃ | ニオブ酸リチウム | スパッタ | 音響・フォトニクス膜 |
| LiCoO₂ / LiMn₂O₄ | リチウム電池正極膜 | スパッタ | 薄膜電池正極 |
| Li₃PO₄ | リン酸リチウム | スパッタ | LiPON前駆体 |
| CrSiO | クロムシリコン酸化物 | スパッタ | 薄膜抵抗 |
| TaSiO₂ | タンタルシリコン酸化物 | スパッタ | 高精度抵抗膜 |
| ITO | ITO（90:10 wt%） | リアクティブスパッタ, スパッタ, ロールツーロール | タッチパネル・ディスプレイ・ヒーター |
| IZO | IZO（90:10 wt%） | リアクティブスパッタ, スパッタ, ロールツーロール | フレキシブル透明電極 |
| AZO | AZO（Alドープ酸化亜鉛） | リアクティブスパッタ, スパッタ, ロールツーロール | ITOフリー透明導電膜 |
| GZO | GZO（Gaドープ酸化亜鉛） | リアクティブスパッタ, スパッタ, ロールツーロール | 透明導電層 |
| IGZO | IGZO | スパッタ, ロールツーロール | 酸化物TFTバックプレーン |
| FTO | FTO（Fドープ酸化スズ） | リアクティブスパッタ, ロールツーロール | 太陽電池・電気化学電極 |
| Si₃N₄ / SiN | 窒化シリコン | PECVD, LPCVD, リアクティブスパッタ, ロールツーロール | パッシベーション・ハードマスク・メンブレン |
| SiON | 酸窒化シリコン | PECVD | 屈折率・応力調整膜 |
| SiCN | 炭窒化シリコン | PECVD | 低誘電率バリア・エッチストップ |
| TiN | 窒化チタン | リアクティブスパッタ, ALD, ロールツーロール | バリア・電極・硬質膜 |
| TaN | 窒化タンタル | リアクティブスパッタ, ALD | Cuバリア・薄膜抵抗 |
| AlN | 窒化アルミニウム | リアクティブスパッタ, エピ, ロールツーロール | 圧電膜・放熱層 |
| BN | 窒化ホウ素 | スパッタ | 絶縁・剥離層 |
| ZrN | 窒化ジルコニウム | リアクティブスパッタ | 硬質・装飾膜 |
| CrN / Cr₂N | 窒化クロム | リアクティブスパッタ, ロールツーロール | 耐摩耗膜 |
| Mo₂N | 窒化モリブデン | リアクティブスパッタ | バリア・触媒層 |
| WN | 窒化タングステン | リアクティブスパッタ, ALD | 拡散バリア |
| GaN | 窒化ガリウム | エピ | RF・パワーデバイス・LED |
| AlGaN | 窒化アルミニウムガリウム | エピ | HEMTバリア層・UV |
| InGaN | 窒化インジウムガリウム | エピ | 可視LED活性層 |
| SiC | 炭化ケイ素 | スパッタ, LPCVD | 硬質膜・ワイドギャップ層 |
| TiC | 炭化チタン | スパッタ | 耐摩耗膜 |
| WC | 炭化タングステン | スパッタ | 硬質・摺動膜 |
| DLC | ダイヤモンドライクカーボン | PECVD, スパッタ, ロールツーロール | 低摩擦保護膜 |
| TiSi₂ | チタンシリサイド | スパッタ | 低抵抗コンタクト |
| WSi₂ | タングステンシリサイド | スパッタ | ゲート・配線層 |
| CoSi₂ | コバルトシリサイド | スパッタ | サリサイドコンタクト |
| NiSi₂ / NiPtSi | ニッケル・NiPtシリサイド | スパッタ | 先端サリサイド |
| MoSi₂ | モリブデンシリサイド | スパッタ | 高温電極 |
| TaSi₂ | タンタルシリサイド | スパッタ | 高融点配線 |
| ZrSi₂ | ジルコニウムシリサイド | スパッタ | 高融点層 |
| CrSi₂ | クロムシリサイド | スパッタ | 薄膜抵抗 |
| MgF₂ | フッ化マグネシウム | IBAD, 電子ビーム蒸着 | 反射防止膜 |
| CaF₂ | フッ化カルシウム | IBAD, 電子ビーム蒸着 | UV・IR光学 |
| LaF₃ | フッ化ランタン | 電子ビーム蒸着 | UV光学多層膜 |
| SiO₂/TiO₂ stacks | 誘電体ミラー積層 | IBAD, リアクティブスパッタ | バンドパス・ミラー・AR膜 |
| Poly-Si | ポリシリコン | LPCVD | MEMS構造層・ゲート |
| a-Si | アモルファスシリコン | LPCVD, PECVD, ロールツーロール | 犠牲層・TFT |
| a-Si:H | 水素化アモルファスシリコン | PECVD | 光導電・太陽電池層 |
| SiGe | シリコンゲルマニウム | LPCVD, エピ | 歪みチャネル・熱電 |
| Ge | ゲルマニウム膜 | 電子ビーム蒸着, エピ | 赤外検出器・光学 |
| GaAs / InP | III-Vエピタキシャル層 | エピ | RF・フォトニクス・検出器 |
| PZT | チタン酸ジルコン酸鉛 | スパッタ | 圧電アクチュエータ・センサー |
| KNN | ニオブ酸カリウムナトリウム | スパッタ | 鉛フリー圧電膜 |
| KTN | タンタル酸ニオブ酸カリウム | スパッタ | 電気光学膜 |
| SIROF | スパッタ酸化イリジウム膜 | リアクティブスパッタ | 生体電極コーティング |
| LiPON | リチウムリン酸窒化物 | リアクティブスパッタ | 薄膜電池の固体電解質 |
| NiTi | Ni-Ti形状記憶合金 | スパッタ | MEMSアクチュエータ |
| Permalloy | 磁性パーマロイ膜 | スパッタ, めっき | 磁気シールド・コア |
| Polyimide | ポリイミド | スピンコート | 絶縁膜・フレキシブル層 |
| BCB | BCB | スピンコート | 低誘電率接着・絶縁 |
| PTFE-like | フッ素系ポリマー膜 | スパッタ, PECVD, ロールツーロール | 撥水・剥離膜 |
この工程から始まる専用ページ
ビアライナー、ゲート絶縁膜、パッシベーション向けのコンフォーマル膜。材料と膜厚範囲の詳細。
応力と屈折率を調整したSiO₂、SiN、SiON、a-Si。完成デバイスが許容する温度で成膜。
熱バジェットを確認する
デバイスの許容最高温度を入力すると、適合する工程が表示されます。温度窓の目安：蒸着・スパッタ（リフトオフ）20〜150°C、AuSn・はんだ金属のPVD 150°Cまで、ALD 80〜300°C、PECVD 150〜400°C、AuSn共晶 約280°C、AuSi 約363°C、Al-Ge 約424°C、陽極接合 300〜450°C、熱酸化 900〜1100°C、SiC注入活性化 1400〜1800°C。案件ごとに確認します。
プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内を目安にご連絡いたします。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。エンジニアが1営業日以内を目安にご連絡いたします。