エンドツーエンドプロセス対応
コア半導体プロセス
基板・
ウェーハ
ウェーハ
Si, ガラス, SiC, GaN
→
設計・
マスク
マスク
GDS, DXF, Cr
→
フォト
リソグラフィ
リソグラフィ
Eビーム〜500×600mm
→
ナノ
インプリント
インプリント
UV・熱NIL
→
薄膜
成膜
成膜
PVD, CVD, ALD, MBE
→
リフトオフ
金属パターン
→
電気
めっき
めっき
Cu TSV充填, LIGA
→
エッチング
ICP-RIE, DRIE >50:1
→
アニール
N₂/H₂/真空
→
イオン
注入
注入
B, P, As, BF₂
→
CMP・
研削
研削
Si, 酸化膜, Cu, ガラス
→
ウェーハ
洗浄
洗浄
RCA/SC1/ピラニア
→
ダイシング・
パッケージング
パッケージング
ブレード・レーザー
バンプ・メタライゼーション・量子
UBM
成膜
成膜
Ti/Pt/Au · BLM
金
バンプ
バンプ
1〜20µm · TC/ACF
インジウム
バンプ
バンプ
10µmピッチ · FPA
AuGe / AuSi
アタッチ
アタッチ
361/363°C 共晶
高鉛
C4
C4
95/5 · 低アルファ
SLID / TLP
スタック
スタック
低温接合・高温耐性
Al-Ge
封止
封止
424°C フレーム
オーミック
コンタクト
コンタクト
GaAs · GaN · RTA
極低温・UHV
メタライゼーション
メタライゼーション
AuSn · シールリング
光学
アクセス
アクセス
窓 · メッシュ
MEMS
蒸気セル
蒸気セル
未充填ボディ
TFOI
基板
基板
水晶on-Si · カスタムLNOI
量子
テクノロジー
テクノロジー
プラットフォーム概観
先端パッケージング & 統合
ご利用形態
お客様のご利用形態
単一プロセスサポート
DRIE、ウェーハボンディング、めっき、ダイシングなど、特定の工程が必要なお客様向け。
複数工程の試作
R&D・概念実証に必要な複数の工程を統合したファブリケーション対応。
先端パッケージングビルド
TSV/TGV、再配線、ボンディング、バンピングフローへの対応。
パイロット・少量生産
開発フェーズから繰り返し可能な製造サポートへの移行。
実現可能性審査のためにお送りください
基板材料とサイズ · 対象プロセスまたはシーケンス · 層構成（わかる場合） · 数量 · 希望スケジュール · 図面やデザインファイル（あれば。初回連絡時は不要）
仕様をご提出いただく準備はできていますか?
テクニカルRFQポータルでは、プロセスを選択するだけでフォームが自動的に適応します。ステップごとにガイドします。
選ばれる理由
進化したファウンドリ
半導体製造の調整の負担を取り除きました。最新のスピードと完全な透明性で提供する精密エンジニアリング。
| 項目 | 従来型ファウンドリ | 株式会社ナノシステムズJP - モダンファウンドリ |
|---|---|---|
| オンボーディング | 3-6ヶ月（NDA・与信審査・法的手続き） | 48時間（デジタルNDA + エンジニアレビュー） |
| 最低発注数 | フルロット（25枚以上） | R&D向け1-5枚から対応 |
| コミュニケーション | 営業担当者（セールス主導） | 技術エンジニア対応、1営業日以内に実現可能性審査 |
| プロセス管理 | 固定メニューのみ | カスタマイズ可能な最適化フロー |
| 透明性 | 「出荷通知まで待ってください」 | フォトリソグラフィからダイシングまでマイルストーン更新 |
コア半導体プロセス
前工程 - 完全プロセス仕様
| プロセス | 主要仕様 | 基板/サイズ |
|---|---|---|
| 基板・ウェーハ供給 | Si・ガラス・SiC・GaN・GaAs・InP・InGaAs・サファイア・石英・LiNbO₃など15種類以上。P/N型、各種COP・抵抗率。熱酸化膜・エピオプション。 | Si 2〜12インチ、ガラス最大550×650mm |
| 設計・マスク製造 | クロムオングラスマスク・石英マスク。GDS/DXF入力。DRC+フラクチャリング。Eビーム/レーザーDW。メタルマスク（ウェットエッチ/レーザー/電鋳）。 | 4〜9インチ、最大600×600mmメタルマスク |
| フォトリソグラフィ | Eビーム 20nm · KrFステッパー · i-lineステッパー 4µm（500×600mm）· マスクアライナー · X線LIGA。SU-8 · PI · PBO · BCB。ポリマーフィルム 400×500mm。 | 2〜12インチ + 最大500×600mmパネル |
| ナノインプリント（NIL） | UV NIL 50nm · サーマルNIL · 大型フォーマット 500×500mm · モールド製造（Si/Ni/ポリマー）· ドライエッチ統合。高nレジスト。 | ウェーハフォーマット + 最大500×500mmパネル |
| 薄膜成膜 | PVD（スパッタ100+ターゲット・Eビーム・イオンプレーティング）· CVD（LPCVD・PECVD）· ALD · MBE · ロールツーロール。圧電（PZT/AlN）・ALD Al₂O₃/HfO₂・光学コーティング（MgF₂/Ta₂O₅）。 | 2〜12インチ + 最大500×600mmパネル |
| TFT・ディスプレイバックプレーン | IGZO TFT · ボトムゲートES · 多層金属配線（最大4層）· P-CVD誘電体 · 有機ILD · 5 μm L/S | ガラス基板 · 0.5-0.7 mm · 100 mm□〜400×300 mm |
| TFT・ディスプレイバックプレーン製造 | IGZO TFT · ボトムゲートES · 多層金属配線（最大4層）· P-CVD誘電体 · 有機ILD · フォトリソグラフィ（5µm L/S） | ガラス基板 · 0.5〜0.7mm · 100mm□〜400×300mm |
| 電気めっき・電鋳 | Cu/Ni/Au/AuSn電解めっき · TSV/TGV充填 · LIGA Ni電鋳 · ENIG/ENEPIG · SnAg · In低温ボンディング · DPCセラミック。 | 4〜12インチ（60µmまで超薄ウェーハ対応） |
| エッチング | ICP-RIE（化合物半導体・SiC・光導波路）· RIE · DRIE（>50:1 AR・Bosch）· KOH/TMAH/BOEウェットエッチ。 | 最大12インチ + ガラス/セラミック |
| アニール | N₂ · H₂ · 真空 · RTA 室温〜1200°C（1〜400°C/s）· SiC高温アニール最大2000°C · 193 nmレーザーアニール · 炉350〜1100°C · SiCカーボンキャップ。 | 最大12インチ |
| イオン注入 | B・P・As・BF₂・Al・Nほか60種類以上 · 0.1 keV〜100 MeV（PIII含む）· 600°C高温注入 · サンプル〜300 mm · RTA 1800°Cまで。SRIM/TCADシミュレーション。 | チップ片〜300mm |
| CMP・ウェーハ研削 | 金属/絶縁膜/ポリマーCMP · SiC/サファイア研磨 · ボンディング前CMP（Ra 0.5nm以下）· バックグラインド 50µmまで。 | 最大12インチ |
| ダイシング | ブレードダイシング · ステルスレーザー（多角形ダイ・シリコンフォトニクス）· SiC/InP/GaAsダイシング · 大型ガラスパネル（500×600mm）。 | 4〜12インチ + 最大500×600mmパネル |
先端パッケージング
後工程 - 3D/2.5D集積スタック
| プロセス | 主要仕様 | 基板/サイズ |
|---|---|---|
| ウェーハボンディング | ハイブリッド（±1µm）· 熱圧着 · 共晶（AuSn/AuGe）· フュージョン · アノーディック · ガラスフリット · 接着剤（PI/エポキシ/BCB）· SAB超高真空。8種類すべて提供。 | 最大12インチ（チップも可） |
| TSV製造 | DRIE >100µm · Cu全充填 · 酸化物ライナー（PE-TEOS/ALD）· バリア/シード · CMP。完全5ステップフロー。 | 最大12インチ |
| TSVリビール | 仮接合 · バックグラインド · ドライエッチ露出 · SiN/SiO₂成膜 · CMP。最小50µm。 | 最大12インチ |
| TGV製造 | Via最小20µm · アスペクト比10:1 · SEM断面で充填確認 · Cu充填 · 両面RDL · BGV。5種類のガラスタイプ。 | ウェーハ〜510×510mmパネル |
| RDL製造 | ポリマーパッシベーション（BCB/PBO/PI · L/S 5µm）+ Cuダマシン（シングル+ダブル · L/S <2µm）。Fan-in/out両対応。TGV両面RDL。 | 最大12インチ + TGVパネル |
| パッケージング・組立 | ダイ/ワイヤ/フリップチップボンディング · BEOL · UBM（ENIG/ENEPIG）· C4バンピング（C4 SnAg/AuSn）。8+組立サービス。 | 最大12インチ + チップ |
| AuSnバンプサービス（SiPho） | PVDマルチレイヤー+電解めっき · 80/20標準+カスタム · Ti/Ni/Au UBM · フラックスフリー · キャビティウェーハ対応。 | 4〜12インチ |
専門サービス · なぜナノシステムズJPか
01
20+プロセス · 1プロジェクト
基板調達から最終パッケージまで全プロセスを専任プロジェクトマネージャーのもとで。工程間転送・汚染・スペックドリフトリスクなし。
02
純プレイファウンドリ
競合製品を製造しない純粋なファウンドリ。お客様のIP・設計データ・プロセスパラメータは厳密に保護されます。
03
1枚からプロトタイプ
全プロセスで最低ロットサイズなし。R&Dから量産まで同一レシピ・同一プロセス条件で移行。技術移転コストなし。
04
初回連絡 1営業日以内
見積もり依頼から1営業日以内にエンジニアから返信。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。
05
NDA対応可
設計ファイル・仕様・GDSを共有いただく前にNDAを締結できます。最初のお問い合わせはNDA不要。
06
英語対応プロジェクト管理
完全英語による技術相談・見積もり・進捗報告。欧州・北米・アジアの国際顧客が言語対応の負担なく、スムーズにご利用いただけます。
フル・ケイパビリティ
全対応プロセス一覧
英語版の一覧表と同じ全サービスへの入口です。各ページに詳細仕様を掲載しています。
基板・ウェーハ供給Si・ガラス・化合物・特殊基板
設計・マスク製作GDSからクロムマスクへ
フォトリソグラフィEビーム20nm〜大型パネル
ナノインプリント（NIL）UV・熱NIL
薄膜成膜PVD・CVD・ALD・MBE
TFT・ディスプレイバックプレーンIGZO・ガラス
電気めっき・電鋳Cu・Ni・Au・AuSn・LIGA
UBM成膜Ti/Pt/Au・Ti/Ni/Au・BLM
金バンプめっき+蒸着Au
インジウムバンプ10µmピッチ・蒸着まま
AuSnバンプ80/20多層PVD・278°C
AuGe・AuSiダイアタッチ356 / 363°C共晶
高鉛はんだバンプ95Pb/5Sn・C4級
SLID / TLPスタックCu/Sn・Au/In・Ag/In
Al-Geウェーハレベル封止424°C共晶フレーム
オーミックコンタクトGaAs・GaN・RTA
極低温・UHVメタライゼーションフラックスレスAuSn・シールリング
光学アクセス部品窓・メッシュ・貫通孔
MEMS蒸気セルDRIE + 接合・未充填
薄膜オンインシュレータ水晶on-Si・カスタムLNOI
エッチングICP-RIE・DRIE・ウェット
アニールN₂・H₂・真空・RTA
イオン注入B・P・As・Al・N
CMP・ウェーハ研削Cu CMP・50µm薄化
ダイシングブレード・ステルスレーザー
ウェーハボンディング6方式
TSVDRIE + Cu充填
TSVリビール裏面研削 + 露出
TGVØ20µm級・パネル対応
RDLダマシンCu配線
パッケージング&アセンブリダイアタッチ・フリップチップ
バイオチップ・マイクロ流体Si-ガラス接合デバイス
開発・評価向けサービス
少量から注文できる評価用の成果物
試作や評価のために、少量から注文できるサービスです。
| サービス | 内容 | 納品形態 |
|---|---|---|
| パターン付きテストウェーハ | お客様のパターンと膜構成によるCMP・プロセス評価用基板 | ウェーハ全面またはダイシング品。指定の工程段階で納品 |
| ガラスTGVクーポン | 穴あけのみ、シード付き、ライニング、充填ビア、配線付き試作 | ウェーハ／クーポン形態。支給ガラスの評価にも対応 |
| マイクロチャネル冷却構造 | エッチングチャネル、接合流路構造、ヒーター・センサー付きテストチップ | 開放／接合のいずれでも納品。リーク・耐圧試験は取り決めにより実施 |
| Cuピラー・SnAgマイクロバンプ | お客様のパッド構成に合わせたSnAgキャップ付きピラーとSnAgバンプ | めっき後またはリフロー後。バンプ付きウェーハまたはチップ |
| レーザーサブマウント・光学ベンチ | Si・AlNサブマウント、V溝、パターン金属、AuSn対応パッド | 素材のまま、メタライズ済み、はんだ付きで納品 |
プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内を目安にご連絡いたします。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。1営業日以内を目安にご連絡。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。