DRIE、ウェーハボンディング、めっき、ダイシングなど、特定の工程が必要なお客様向け。
R&D・概念実証に必要な複数の工程を統合したファブリケーション対応。
TSV/TGV、再配線、ボンディング、バンピングフローへの対応。
開発フェーズから繰り返し可能な製造サポートへの移行。
基板材料とサイズ · 対象プロセスまたはシーケンス · 層構成（わかる場合） · 数量 · 希望スケジュール · 図面やデザインファイル（あれば。初回連絡時は不要）
半導体製造のフリクションを取り除きました。最新のスピードと完全な透明性で提供する精密エンジニアリング。
| 項目 | 従来型ファウンドリ | ナノシステムズJP - モダンファウンドリ |
|---|---|---|
| オンボーディング | 3-6ヶ月（NDA・与信審査・法的手続き） | 48時間（デジタルNDA + エンジニアレビュー） |
| 最低発注数 | フルロット（25枚以上） | R&D向け1-5枚から対応 |
| コミュニケーション | 営業担当者（セールス主導） | 技術エンジニア対応、24時間以内に実現可能性審査 |
| プロセス管理 | 固定メニューのみ | カスタマイズ可能な最適化フロー |
| 透明性 | 「出荷通知まで待ってください」 | フォトリソグラフィからダイシングまでマイルストーン更新 |
| プロセス | 主要仕様 | 基板/サイズ |
|---|---|---|
| 基板・ウェーハ供給 | Si・ガラス・SiC・GaN・GaAs・InP・InGaAs・サファイア・石英・LiNbO₃など15種類以上。P/N型、各種COP・抵抗率。熱酸化膜・エピオプション。 | Si 2〜12インチ、ガラス最大550×650mm |
| 設計・マスク製造 | クロムオングラスマスク・石英マスク。GDS/DXF入力。DRC+フラクチャリング。Eビーム/レーザーDW。メタルマスク（ウェットエッチ/レーザー/電鋳）。 | 4〜9インチ、最大600×600mmメタルマスク |
| フォトリソグラフィ | Eビーム 20nm · KrF 50nm · i-lineステッパー 4µm（500×600mm）· マスクアライナー · X線LIGA。SU-8 · PI · PBO · BCB。ポリマーフィルム 400×500mm。 | 2〜12インチ + 最大500×600mmパネル |
| ナノインプリント（NIL） | UV NIL 50nm · サーマルNIL · 大型フォーマット 500×500mm · モールド製造（Si/Ni/ポリマー）· ドライエッチ統合。高nレジスト。 | ウェーハフォーマット + 最大500×500mmパネル |
| 薄膜成膜 | PVD（スパッタ100+ターゲット・Eビーム・イオンプレーティング）· CVD（LPCVD・PECVD）· ALD · MBE · ロールツーロール。圧電（PZT/AlN）・ALD Al₂O₃/HfO₂・光学コーティング（MgF₂/Ta₂O₅）。 | 2〜12インチ + 最大500×600mmパネル |
| TFT・ディスプレイバックプレーン | IGZO TFT · ボトムゲートES · 多層金属配線（最大4層）· P-CVD誘電体 · 有機ILD · 5 μm L/S | ガラス基板 · 0.5–0.7 mm · 100 mm□〜400×300 mm |
| TFT・ディスプレイバックプレーン製造 | IGZO TFT · ボトムゲートES · 多層金属配線（最大4層）· P-CVD誘電体 · 有機ILD · フォトリソグラフィ（5µm L/S） | ガラス基板 · 0.5〜0.7mm · 100mm□〜400×300mm |
| 電気めっき・電鋳 | Cu/Ni/Au/AuSn電解めっき · TSV/TGV充填 · LIGA Ni電鋳 · ENIG/ENEPIG · SnAg · In低温ボンディング · DPCセラミック。 | 4〜12インチ（60µmまで超薄ウェーハ対応） |
| エッチング | ICP-RIE（化合物半導体・SiC・光導波路）· RIE · DRIE（35:1 AR・Bosch）· KOH/TMAH/BOEウェットエッチ。 | 最大12インチ + ガラス/セラミック |
| アニール | N₂ · H₂ · 真空 · RTA 最大~2000°C · SiCカーボンキャップアニール。 | 最大12インチ |
| イオン注入 | 60種類以上のドーパント · SiC/GaN高温注入（600°C）· 高濃度H注入 · RTA 1800°Cまで。SRIM/TCADシミュレーション。 | チップ片〜300mm |
| CMP・ウェーハ研削 | 金属/絶縁膜/ポリマーCMP · SiC/サファイア研磨 · ボンディング前CMP（Ra 0.5nm以下）· バックグラインド 50µmまで。 | 最大12インチ |
| ダイシング | ブレードダイシング · ステルスレーザー（多角形ダイ・シリコンフォトニクス）· SiC/InP/GaAsダイシング · 大型ガラスパネル（500×600mm）。 | 4〜12インチ + 最大500×600mmパネル |
| プロセス | 主要仕様 | 基板/サイズ |
|---|---|---|
| ウェーハボンディング | ハイブリッド（±1µm）· 熱圧着 · 共晶（AuSn/AuGe）· フュージョン · アノーディック · ガラスフリット · 接着剤（PI/エポキシ/BCB）· SAB超高真空。8種類すべて提供。 | 最大12インチ（チップも可） |
| TSV製造 | DRIE >100µm · ボイドフリーCu充填 · 酸化物ライナー（PE-TEOS/ALD）· バリア/シード · CMP。完全5ステップフロー。 | 最大12インチ |
| TSV露出 | 仮接合 · バックグラインド · ドライエッチ露出 · SiN/SiO₂成膜 · CMP。最小50µm。 | 最大12インチ |
| TGV製造 | Via最小20µm · アスペクト比1:10 · 収率95%以上 · Cu充填 · 両面RDL · BGV。5種類のガラスタイプ。 | ウェーハ〜510×510mmパネル |
| RDL製造 | ポリマーパッシベーション（BCB/PBO/PI · L/S 5µm）+ Cuダマシン（シングル+ダブル · L/S <2µm）。Fan-in/out両対応。TGV両面RDL。 | 最大12インチ + TGVパネル |
| パッケージング・組立 | ダイ/ワイヤ/フリップチップボンディング · BEOL · UBM（ENIG/ENEPIG）· C4バンピング（C4 SnAg/AuSn）。8+組立サービス。 | 最大12インチ + チップ |
| AuSnバンプサービス（SiPho） | PVDマルチレイヤー+電解めっき · 80/20標準+カスタム · Ti/Ni/Au UBM · フラックスフリー · キャビティウェーハ対応。 | 4〜12インチ |
基板調達から最終パッケージまで全プロセスを一施設で。ベンダー間転送・汚染・スペックドリフトリスクなし。
競合製品を製造しない純粋なファウンドリ。お客様のIP・設計データ・プロセスパラメータは厳密に保護されます。
全プロセスで最低ロットサイズなし。R&Dから量産まで同一施設・同一レシピで移行。技術移転コストなし。
見積もり依頼から24時間以内にエンジニアから返信。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。
設計ファイル・仕様・GDSを共有いただく前にNDAを締結できます。最初のお問い合わせはNDA不要。
完全英語による技術相談・見積もり・進捗報告。欧州・北米・アジアの国際顧客が言語対応の負担なく、スムーズにご利用いただけます。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。24時間以内にご返信。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。