MEMS · 半導体 · ナノ加工

日本発 ピュアプレイ
ファウンドリサービス

基板調達からダイシング済みチップまで、半導体・MEMS・先端パッケージング・マイクロファブリケーションを世界中のお客様に提供します。

少量試作から量産まで対応。技術担当者が1営業日以内を目安にご連絡します。

日本の精密加工技術を、世界へ。スタートアップならではのスピード感で提供します。

1枚
最低ウェーハ枚数
4〜8週間
標準リードタイム
20+
プロセス技術
300mm
最大シリコンウェーハ径
550×650mm
最大供給基板(ガラス・フィルム)
Si · ガラス · SiC · GaN · GaAs
2〜12インチ ウェーハ + 550×650mmパネル
クリーンルームでの加工
世界中への出荷
GDSII · DXF · DWG 受付
クロムオングラスフォトマスク
NDA & IP保護
初回連絡 1営業日以内
Si · ガラス · SiC · GaN · GaAs
2〜12インチ ウェーハ + 550×650mmパネル
クリーンルームでの加工
世界中への出荷
GDSII · DXF · DWG 受付
クロムオングラスフォトマスク
NDA & IP保護
初回連絡 1営業日以内
完全な製造プロセスポートフォリオ

エンドツーエンドの加工フロー

基板調達・マスク設計から前工程・後工程・最終組立まで、専任プロジェクトマネージャーのもとで全工程を一貫管理します。各工程をクリックすると、仕様と図面をご覧いただけます。

半導体コアプロセス
基板・
ウェーハ
Si, ガラス, SiC, GaN
→
設計・
マスク
GDS, DXF, Cr
→
フォト
リソグラフィ
Eビーム20nm〜パネル
→
ナノ
インプリント
UV・熱NIL
→
薄膜
成膜
PVD, CVD, ALD
→
リフトオフ
金属パターン
→
電気
めっき
Cu, Ni, Au, Sn
→
エッチング
DRIE, ICP-RIE, ウェット
→
アニール
N₂/H₂/真空/RTA
→
イオン
注入
Si, SiC, GaN
→
CMP・
研削
平坦化
→
ウェーハ
洗浄
RCA · プラズマ · メガソニック
→
ダイシング・
パッケージング
ブレード, レーザー, ステルス
バンプ・メタライゼーション・量子
UBM
成膜
Ti/Pt/Au · BLM
金
バンプ
1〜20µm · TC/ACF
インジウム
バンプ
10µmピッチ · FPA
AuGe / AuSi
アタッチ
356/363°C 共晶
高鉛
C4
95/5 · 低アルファ
SLID / TLP
スタック
低温接合・高温耐性
Al-Ge
封止
424°C フレーム
オーミック
コンタクト
GaAs · GaN · RTA
極低温・UHV
メタライゼーション
AuSn · シールリング
光学
アクセス
窓 · メッシュ
MEMS
蒸気セル
未充填ボディ
TFOI
基板
水晶on-Si · カスタムLNOI
量子
テクノロジー
プラットフォーム概観
全プロセスと詳細仕様を見る →
先端パッケージング・集積
ウェーハ
ボンディング
Cu-Cu, 共晶
→
TSV
製造
高AR, Cu充填
→
TSV
リビール
裏面研削 + CMPリビール
→
TGV
製造
径20µm, パネル対応
→
RDL
製造
ファンイン, ファンアウト
→
パッケー
ジング
ワイヤボンド, フリップチップ
→
3D/2.5D
パッケージング
TSV+RDL+UBM+C4
→
AuSn
バンプ
PVDリフトオフ
→
バイオチップ・
マイクロ流体
ガラス · Si · ポリマー
→
SiPho
パッケージング
TSV · RDL · UBM · C4
なぜ株式会社ナノシステムズJPか

ピュアプレイファウンドリの優位性

日本の精密さ、グローバルな展開

厳格な日本品質基準で製造。豊富な輸出物流ノウハウにより、世界中のお客様へお届けします。

競争力のあるリードタイム

単一プロセスでは見積書の開始条件から通常4〜8週間。複数工程や開発を伴うフローの日程は見積書で確定します。米国・EU系ファウンドリと比較しても競争力ある納期を実現します。

知的財産の保護

自社製品を持たないピュアプレイファウンドリのため、お客様の技術と競合することはありません。ご依頼の最初の段階からNDA締結が可能です。

技術営業エンジニアへの直接アクセス

お問い合わせは技術営業担当とプロセスエンジニアが1営業日以内に直接対応します。

カスタムプロセス開発

お客様のチームと共に、非標準プロセスの開発・最適化に取り組みます。新規材料から独自のスタック要件まで、クリーンルームで実現し得るものであれば、フィジビリティ評価と実用的なプロセスフローのご提案が可能です。

エンドツーエンド一貫加工

リソグラフィ・成膜・エッチング・ボンディング・TSVを組み合わせたマルチプロセスフローを、単一の統合ワークフローで対応します。

迅速なレスポンスと柔軟性

お見積もりから立ち上げ、仕様変更まで、スタートアップのスピード感で柔軟に対応します。フィードバックは数日単位で反映します。

スモールロット対応

イノベーションはロット数で制限されるべきではありません。ウェーハ1枚からご注文いただけます。大学発スタートアップにも、グローバル企業にも同様の日本品質でご対応します。

エンジニア同士のコミュニケーション

お問い合わせはテクニカルセールスエンジニアとプロセスエンジニアが直接対応します。初回のご連絡は通常1営業日以内を目安としています。初日からクリーンルームの専門知識に直接アクセスできます。

プロジェクトの透明性

フォトリソグラフィからダイシングまで、各主要プロセスのマイルストーンで進捗報告をお届けします。進捗状況を常に把握いただけます。

完全な3D統合フロー -
DRIEからバンプ形成ウェーハまで

TSV/TGVおよび先端パッケージングプロセスは、3D-IC集積・ガラス貫通ビアインターポーザ・MEMS-CMOSスタッキングに対応する完全な加工シーケンスを一括提供します。

1
DRIEビアエッチング、高アスペクト比シリコンビア形成
2
熱酸化 + TiN/Cuバリア・シード成膜
3
Cu電気めっき + 約400°Cアニール
4
50µmまで裏面研削 + ドライエッチによるTSVリビール
5
SiN/SiO₂ CMP平坦化、プロセス対応面完成
6
RDL形成 + UBM成膜 + C4バンプ形成
応用分野

対応する用途

ライフサイエンス・診断

マイクロ流体チップ、ラボオンチップ、バイオセンサー、DNA解析基板、埋め込み型MEMS。

RF・通信

GaAs/GaN HEMT、RF MEMSスイッチ、SAW/BAWフィルター、5Gコンポーネント。

ロボティクス・自動化

MEMS加速度センサー、ジャイロスコープ、圧力センサー、触覚センサー。

エネルギー・パワー

SiC/GaNパワーデバイス、エネルギーハーベスティングMEMS、太陽電池テスト構造。

フォトニクス・イメージング

シリコンフォトニクス、LiDAR、光MEMS、赤外線検出器、メタレンズ製造。

自動車・航空宇宙

高信頼MEMSセンサー、圧力トランスデューサー、慣性計測ユニット(IMU)。

お取引の流れ

お問い合わせからチップ納品まで

ご利用の手順

STEP 01

お問い合わせを送る

プロジェクト概要・プロセス要件・基板・ウェーハサイズ・数量・スケジュールをメールでお送りください。GDS/DXFファイルはこの段階では不要です。

STEP 02

技術審査・見積もり

プロセスエンジニアが設計の互換性と実現可能性を審査します。プロセス仕様・スケジュール・価格を含む詳細見積もりを7〜10営業日以内にご提供します。

STEP 03

NDA・発注確認

プロセストラベラーとウェーハ仕様を確認します。ご希望の場合はこの段階でNDAを締結します。発注後、製造スケジュールを調整し着工します。

STEP 04

製造・品質管理

定期的な進捗報告のもと全工程を実施します。検査項目はプロジェクトごとに定め、光学検査、CD-SEM、電気試験などを実施します。検査データは取り決めに従って納品します。

STEP 05

ダイシング・パッケージング

ご指定仕様に合わせてウェーハをダイシングします。個別チップのパッケージングまたはキャリア基板へのマウントを行います。

STEP 06

世界中へ納品

クリーンルームパッケージで、追跡可能な国際配送にてお届けします。プロセスの複雑さにより異なりますが、標準リードタイムは、見積書に定めた開始条件が揃ってから4〜8週間です。

プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内を目安にご連絡いたします。

プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。株式会社ナノシステムズJPのエンジニアが1営業日以内を目安にご連絡いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内(プロジェクト複雑さ・NDA要件による)。

スムーズな審査のため、以下をご記入ください:
基板材料・サイズ  ·  対象プロセス  ·  数量  ·  スケジュール  ·  設計ファイル(初回は不要)

sales@nanosystemsjp.co.jp · +81-3-5288-5569 · NDA対応可 · 7〜10営業日以内に詳細見積もり · 全データ厳重管理

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