準備済みウェーハからパッケージ済みデバイスまで - 全工程
ほとんどのパッケージングハウスは1〜2の組立ステップに特化し、顧客が他の工程を別途手配する必要があります。当社では全工程を専任プロジェクトマネージャーのもとで提供します。
1名のプロジェクトマネージャー
バックグラインドから最終パッケージ済みデバイスまですべてのステップを単一のPMが調整。工程間の余計な転送なし・単一スケジュール・単一窓口・週次進捗報告。
全工程での検査
研削厚さ・ダイシングカーフ品質・ダイアタッチ接合強度・ワイヤボンドプル/シア・フリップチップ位置合わせ・X線ボイド・最終ロットレポート。例外なし。
ウェーハからモジュールへ
ウェーハレベル処理からモジュールレベルデバイスへの最も物流的に複雑な移行を担います。50µm薄ウェーハ対応・脆弱なMEMS対応・µmレベルフリップチップ実装・最終トレイ梱包+ラベル。
バックグラインドとダイシング - 最初の2組立ステップ
ダイレベル組立の前に、ウェーハを薄化・個片化する必要があります。両ステップを同一プロジェクト内で実施し調整します。
ウェーハバックグラインド
バックサイド研削でウェーハ厚さを標準700µmからパッケージングの目標厚さまで薄化。標準ICパッケージは150〜200µm、薄型モバイルパッケージは75〜100µm、TSVリビールアプリケーションは50µm。±2µm均一性。研削後応力緩和。150µm以下はキャリアウェーハ使用。SiC・GaAs・InP・Si対応。
ウェーハダイシング
異なる材料とダイ形状要件に対応する4種類のダイシング方式。ブレードダイシング（4〜12インチ Si/ガラス）・ステルスレーザー（SiPho/MEMS 乾式）・ダイヤモンドスクライビング（SiC/InP）・500×600mmガラスパネル。ウェーハマップソーティング・JEDECトレイ梱包。
基板へのダイアタッチ - エポキシ・共晶・銀焼結
ダイボンディングは個片化されたダイをパッケージ基板・キャリア・PCBに機械的・熱的に接続します。ダイアタッチ方式の選択が熱抵抗・封止性・プロセス温度を決定します。
エポキシダイアタッチ
導電性Ag充填または非導電性エポキシペーストを自動ディスペンサーで塗布し120〜200°Cで硬化。RF・センサー・コンシューマ電子向けの標準アプローチ。C-SAMでボイド検査。任意ダイサイズ対応。
共晶ダイアタッチ（AuSn）
278°Cでの AuSn共晶ダイアタッチはエポキシより大幅に高い熱伝導率（57 W/m·K）の緻密で低ボイドの金属接合を実現（パッケージの気密性は別途の封止・リーク試験で確認）。レーザーダイオードアタッチ・SiC高温アタッチ・光MEMSに最適。
銀焼結ダイアタッチ
焼結銀ペーストを200〜280°Cで加圧焼結し、多孔質銀マトリックスを形成。>200 W/m·K（AuSnの3倍以上）。SiC/GaNパワーモジュール・EVインバータ・産業向け。300°C+での動作対応。
金・アルミニウム・銅ワイヤ - 径18µmから500µm
ワイヤボンディングはダイパッドと基板パッドを細い金属ワイヤで接続します。ワイヤ材料と径の選択がアプリケーション・温度・電流・ピッチ要件を決定します。
金（Au）ワイヤ - 18〜75µm · ボールボンディング
高信頼性・精細ピッチワイヤボンディングのプレミアム選択肢。サーモソニックボールボンディング。RF・アナログ・センサー向け。50µm以下の精細ピッチ対応。高信頼性・宇宙グレード。
アルミニウム（Al）ワイヤ - 25〜500µm · ウェッジボンディング
超音波ウェッジボンディング（加熱不要）。温度に敏感なデバイスに対応。SiC・IGBT・GaNパワーモジュール向け500µmヘビーワイヤまで対応。加熱不要で大電流対応。
銅（Cu）ワイヤ - 18〜75µm · ボールボンディング
Auより低い電気抵抗と高い引張強度で低コスト。フォーミングガス（N₂/H₂）雰囲気でのボールボンディング。自動車・コンシューマIC向け。PCC（パラジウムコーティングCu）ワイヤオプションあり。
5種類のバンプシステム - デバイスとアプリケーションに合わせて
フリップチップはダイを反転させ、あらかじめ形成されたバンプで基板に直接フェイスダウン接合します。ワイヤボンドを排除し、より短いインターコネクト・より高い帯域幅・より小さなフットプリントを実現します。
バンプ形成方式
フリップチップボンディング前にフォトレジストマスクを通じた電解めっき（Cu・SnAg・NiSn）でバンプを形成。または無電解めっき（ENIG/ENEPIG）・PVD+リフトオフ（AuSn）・ステンシル印刷（200µm以上ピッチ）。
フリップチップ実装・リフロー
自動フリップチップボンダーで基板フィデューシャルに光学位置合わせして±2µm精度でダイをフェイスダウン実装。熱圧着（AuSn/Cu）またはリフローオーブン（SnAg C4）。自己整合補正。
ボンド後検査
フリップチップボンディング後、X線検査（はんだボイド率・バンプ間ブリッジ）・C-SAM（デラミネーション）・SiPhoの結合効率・デイジーチェーン電気テストで接合品質を確認。
標準組立を超えた先端パッケージング
ワイヤボンドとフリップチップを超えて、3D-ICと2.5Dチップレット集積向けの完全な先端パッケージングスタックを提供します。
- TSV製造（DRIE >50:1、Cu全充填）
- TGV製造（ガラスインターポーザ 最大510×510mm）
- TSV/TGVリビール（バックグラインド + プラズマエッチ + パッシベーション + CMP）
- RDL製造（ポリマー BCB/PBO/PI またはCuダマシン）
- ポリイミドフィルムインターポーザ（フレキシブル2.5D代替）
- UBM（ENIGまたはENEPIG）
- C4 SnAgバンピング（自己整合リフロー）
- チップレットのインターポーザへのフリップチップ組立
誘電体成長・トレンチエッチング
完成デバイスウェーハ上へのPECVD SiO₂/低k CVD成膜に続いて、リソグラフィとドライエッチングでViaホールとメタルトレンチを定義。PECVD SiO₂・低k SiOCH・シングル & ダブルダマシン対応。
埋め込みCu電解めっき
トレンチへのバリア/シードスパッタリング後、スーパーフィルCu電解めっきでボトムアップ充填。シームボイドは断面で確認。Ta/TaNバリア・スーパーフィルCuめっき・充填状態を確認。
Cu CMPプラナライゼーション
Cu CMPでオーバーバーデンを除去し、渦電流終点で誘電体面で停止。幅広ラインのCuディッシングを測定。RDL/UBM対応表面出力。
完全パッケージング・組立パラメータ
| サービス | 仕様 | 備考 |
|---|---|---|
| ウェーハバックグラインド | 目標厚さ 50〜700µm | ±2µm均一性；150µm以下はキャリアウェーハ |
| ダイシング - ブレード | Si/ガラス 4〜12インチ；ガラスパネル最大500×600mm | 標準長方形ダイ |
| ダイシング - ステルスレーザー | Siウェーハ；多角形ダイ（六角形・八角形） | 乾式、水なし、デブリなし |
| ダイシング - ダイヤモンドスクライビング | SiC · AlN · InP · GaAs | 脆性化合物半導体 |
| ダイボンディング - エポキシ | 導電性Ag充填または非導電性 | 120〜200°C硬化；C-SAMボイド検査 |
| ダイボンディング - AuSn共晶 | 278°C、フラックスフリー | レーザーダイオード・SiC・光MEMS |
| ダイボンディング - Ag焼結 | >200 W/m·K、200〜280°C焼結 | SiC/GaNパワーモジュール |
| ワイヤボンディング - Au | 18〜75µm；ボールボンディング；ピッチ<50µm | RF・アナログ・センサー；精細ピッチ対応 |
| ワイヤボンディング - Al（細線） | 25〜75µm；ウェッジボンディング；加熱不要 | 温度感受性デバイス；MEMS |
| ワイヤボンディング - Al（ヘビー） | 125〜500µm；ウェッジボンディング | SiC · IGBT · GaN パワー・高電流 |
| ワイヤボンディング - Cu | 18〜75µm；ボールボンディング；フォーミングガス N₂/H₂ | 自動車・コンシューマIC；PCCワイヤオプション |
| フリップチップ - AuSn | 278°C フラックスフリー；±1µm位置合わせ（SiPho） | レーザーダイオード · MMIC · MEMS気密 |
| フリップチップ - SnAg（C4） | 217〜221°C；自己整合リフロー | 有機基板への標準CSP/BGAフリップチップ |
| フリップチップ - NiSn/NiAu/NiPd | 無電解めっき；ワイヤボンド共用 | WLCSP · CSP · ENIG/ENEPIG表面 |
| BEOL Cuダマシン | シングル & ダブルダマシン | CVD SiO₂または低k；スーパーフィルCu CMP |
| TSV / TGV | TSV: DRIE >50:1；TGV: 最大510×510mm | 5ステップ完全フロー；露出対応 |
| RDL製造 | BCB/PBO/PI ポリマーまたはCuダマシン | ファンイン WLCSP またはファンアウト FOWLP |
| ENIGまたはENEPIG | はんだ濡れ性 + 拡散バリア | |
| C4バンピング | SnAg 電解めっき；自己整合 | ピッチ150µmから；基板へのフリップチップ |
全半導体デバイスカテゴリのパッケージング
RF / MMICモジュール
GaAs/InP/GaN MMICチップの高周波セラミックまたはラミネート基板へのAuSnフリップチップ。I/O向けAuボールワイヤボンド。気密蓋。AuSn FC · Au線I/O · 気密蓋 · 5G/6G FEM対応。
シリコンフォトニクスコパッケージング
SiPho PICへのInP/GaAsレーザーダイのAuSnフリップチップ（±1µm自己整合）、EIC（電子集積回路）のCuワイヤボンディング、AlNキャリア、基板へのC4。400G/800G対応。
SiC / GaN パワーモジュール
最大熱伝導率のためのSiC MOSFETとGaNトランジスタチップの銀焼結ダイアタッチ。DBCセラミックへの500µm Alヘビーワイヤボンディング。Ag焼結 · 500µm Al ヘビーワイヤ · DBC · 車載牽引向け。
3D-ICチップレット集積
HBMメモリオンロジック・MEMS-on-CMOS・多ダイ集積の完全3D-ICと2.5Dチップレットスタック向けTSV + RDL + C4バンピング。TSVリビール → RDL → UBM → C4 · チップレットFC · 1名PM。
MEMSセンサーパッケージング
MEMSセンサー向けWLCSPファンインRDL。ワイヤボンドを排除。気密キャップ接合。ステルスダイシング。IMU · 圧力センサー向け。WLCSP RDL · 気密キャップ · ステルスダイシング対応。
イメージセンサー組立
BSIイメージセンサー組立：TSVリビール（バックサイド接点）・RDL・C4バンピングによるフリップチップ接続。デジタルI/Oワイヤボンド。ステルスダイシング。BSI · C4 FC · デジタルI/O WB対応。
医療・埋め込み型デバイス
埋め込み型神経インターフェース・網膜インプラント・蝸牛インプラント向けの生体適合性Auワイヤボンディング と AuSn気密パッケージ組立。Au線 · AuSn気密 · PI RDLフレックス対応。
AR/VR フォトニクス・ディスプレイ
AR/VRヘッドセット向け導波路ディスプレイ基板へのマイクロLEDとレーザープロジェクターアレイのAuSnフリップチップ。Cuピラードライバーパッドとの組み合わせ。光学ダイのステルスダイシング。
宇宙・高信頼性
宇宙グレード電子向けのMIL-STD-883・ESCC準拠プロセス管理によるAuワイヤボンディング。気密セラミックパッケージ。100%プルテスト。Au線 · MIL-883 · ESCC · 気密セラミック対応。
ダイが実装される3つの方法
このページを支える実装モードを1枚で：共晶アタッチ、フリップチップ、そして封止リッド。
当社のパッケージング・組立能力が異なる理由
完全フロー、1つのプロジェクト
バックグラインド・ダイシング・ダイボンド・ワイヤボンド・フリップチップ・BEOL・TSV/TGV・RDL・UBM・C4バンピングをすべて専任プロジェクトマネージャーのもとで。工程間転送・スケジュールリスク・プロセスインターフェース問題なし。
ワイヤボンド 18µmから500µm
RF・センサー精細ピッチボンディング向けAu細線（18µm）からSiCとGaNパワーモジュール向けAlヘビーワイヤ（500µm）まで。同一プロジェクト内でウェーハレベルとモジュールレベルを両方対応。
SiPho向けAuSnフリップチップ
±1µm自己整合精度によるシリコンフォトニクスPIC組立のAuSnフリップチップボンディング専門対応。光MEMS・RF MMIC・レーザーダイオードアタッチも対応。
ヘビーワイヤパワーモジュール専門
SiC MOSFETとGaNパワーモジュール向け500µm Alヘビーワイヤボンディング。同一のプロジェクトチームがSiCウェーハ加工からモジュール組立まで対応。熱コンプライアンス試験も提供。
TGV最大510×510mmパネル
最大のガラスインターポーザTGV能力：510×510mmパネルフォーマット。パネルフォーマット装置を使用してディスプレイガラスやバイオチップ基板を構築するお客様向け。
NDA対応可
パッケージング設計・ダイレイアウト・ワイヤボンドマップ・バンプピッチ・フリップチップ位置合わせターゲットは高度に機密情報です。設計データ共有前にNDA締結可能。
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