量子向け提供 - 極低温 & UHVメタライゼーション

極低温 & UHV
アセンブリメタライゼーション

株式会社ナノシステムズJPでは、真空槽とクライオスタットが許すメタライゼーションを成膜・パターニングします:真空内ダイアタッチのためのフラックスフリーAuSn多層PVD、ワイヤボンド可能・はんだ濡れ性のTi/Pd/Au・Ti/Pt/Auスタック、そして低アウトガスシールリング。オールメタル、有機物なし、フラックスなし、±0.5µmのリフトオフパターニング。お客様のウェーハ上、またはメタライズ済みAlN・SiCキャリア上で、1枚から、専任プロジェクトマネージャーのもとでお届けします。

詳細仕様がある場合はテクニカルRFQフォームへ →

フラックスフリーAuSn PVDTi/Pd/Au · Ti/Pt/Au オールメタル・有機物なし低アウトガスシールリング AlN & SiCキャリアリフトオフ ±0.5µm 4Kを見据えた選定1枚から対応
0
接合スタック中のフラックスと有機物
278°C
AuSn共晶 - 接合後はベークアウト耐性
±0.5µm
パッド・リング・配線のリフトオフ精度
1枚〜
研究ロットがネイティブ
なぜ違うか
アウトガスするものなし、4Kで割れるものなし

真空と低温に入るメタライゼーションを支配するルールは3つあり、いずれも成膜段階の決定です。お客様の実装がチャンバーに入る前に決まっています。

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低アウトガスのメタラジークラス

このサービスで成膜するすべての層は金属です:AuSn・Ti・Pd・Pt・Au。フラックスは接合に一切触れず、ポリマーはスタックに入らず、ベークアウト中に脱離を待つ有機残渣もありません。蒸着AuSnは真空またはフォーミングガス中でフラックスレス接合します。UHV装置ビルダーが習慣的にこのメタラジークラスを指定する理由そのものです。

オールメタルスタックフラックスレス接合有機物・ポリマーなしベークアウト互換
🧊

清浄なだけでなく、低温のための選定

極低温サイクリングは誤った接合を罰します。当社は両方の答えを1つのフローに置いています:CTE整合が取れベークアウトが続く実装には剛性・気密のAuSnを。300K〜4Kの繰り返しサイクルが「割れる代わりに変形する」接合を要求する場合は、隣接バンプラインのコンプライアントなインジウムを。キャリア選定 - AlNとSiC - が低温での放熱パスを正直に保ちます。

AuSn:剛性 + 気密隣にIn:コンプライアントCTEを見たキャリア選定4Kの放熱パス
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塗るのではなく、パターニングする

真空ハードウェアは、設計どおりの場所だけに金属を求めます:ダイに合ったボンドパッド、リッドに合ったシールリング、光路とビームパスを避ける配線。リフトオフがそのすべてを±0.5µmで与えます。フィードスルーと窓が求めれば両面で。スタックは1回の真空引きで成膜され、界面は一度も大気に触れません。

パッド · リング · 配線両面位置合わせ±0.5µmリフトオフ1回の真空でスタック
プロセススケッチ
スタック・リング・フロー

キャリアに載るもの、シールリングの上面図、そして素の基板からフラックスレス接合までの4ステップ。

AlN / SiC キャリアダイTi 密着Pd / Pt バリアAu 仕上げAuSn多層・共晶278°Cシールリング・幅 ~20µm01前洗浄(その場)021回の真空引きでPVDスタック03リフトオフ ±0.5µm04フラックスレス接合・真空 / FG
オールメタル・フラックスなし・有機物なし
スタックメニュー
AuSn・Ti/Pd/Au・シールリング・メタライズ済みキャリア

4つの納品ファミリーを、お客様のウェーハ上、形状が許せば機械加工部品上、または当社が用意するキャリア基板上に成膜します。膜厚とシーケンスは、ボンダー・ベークアウトスケジュール・熱環境に合わせてプログラムごとに設計します。

AuSn
多層PVD · ダイアタッチ
フラックスフリー · 共晶278°C

ダイまたはキャリア上の蒸着Au/Sn多層。真空またはフォーミングガス中でフラックスレス接合。気密・低ボイド、あらゆるベークアウトをはるかに超える耐熱定格。フルフローはAuSnページに。

Ti/Pd/Au
+ Ti/Pt/Au · ユニバーサルスタック
0.1〜0.5µm 標準 · リフトオフ

真空ハードウェアの主力:密着・バリア・貴金属仕上げの、ワイヤボンド可能ではんだ濡れ性のスタック。Si・ガラス・サファイア・溶融石英・AlN上のパッド・配線・グラウンドプレーン。

リング
シールリング & フレーム
幅 ~20µmから

リッド・窓・セルボディのための低アウトガスパターニングリング。AuSn、熱圧着用Au、SLIDカップルで。接合ペアには表裏を整合させて。

キャリア
AlN & SiCサブマウント
メタライズ · パターニング · ダイシング

窒化アルミニウムと炭化ケイ素のキャリアプレート・サブマウント。上記スタックでパターニングし、図面どおりにダイシング。コールドステージの放熱パスです。

プロセス仕様
完全な極低温 / UHVメタライゼーションパラメータ
パラメータ仕様
ダイアタッチメタラジーAuSn多層PVD・フラックスフリー・共晶278°C - インジウム代替はバンプラインで
表面スタックTi/Pd/Au・Ti/Pt/Au・Ti/Au - 密着・バリア・貴金属シーケンスはプログラムごと
シールリングAuSn・Au(熱圧着)・SLIDカップル - 幅 ~20µmから
スタック中の有機物なし - オールメタル・フラックスレス・ポリマーフリー
ウェーハサイズ4インチ(100mm)· 6インチ(150mm)· 8インチ(200mm)- ピース・キャリアは図面対応
基板Si・ガラス・溶融石英・サファイア・AlN・SiC(その他はリクエストで)
パターニングリフトオフ ±0.5µm - 両面アライメント対応
成膜Eビーム / 抵抗加熱蒸着 · 1回の真空引き · その場クリーニング
キャリア納品図面どおりにメタライズ・パターニング・ダイシングしたAlN / SiCサブマウント
計測プログラムごとの検査 - SEM・断面はリクエストで
最低ロット1枚から - 同一レシピで試作からリピートロットまで
応用分野
真空と低温がルールを決める場所
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イオントラップ実装

真空槽内のキャリア上トラップダイのためのフラックスレスAuSnアタッチ。レーザーパスを塞がないTi/Pd/Auパッドと配線。トラップの近くに有機物は一切ありません。

真空内アタッチアウトガスなしレーザーパス確保
🧊

クライオスタットステージ・サブマウント

4Kステージのためのメタライズ済みAlN・SiCサブマウント:ダイアタッチランド、放熱パス、そしてクールダウンサイクルを剥離やクリープの驚きなしに耐えるワイヤボンド面。

4KステージAlN / SiC放熱パスサイクル耐性
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極低温検出器アセンブリ

冷却検出器・センサーアセンブリのためのアタッチ・インターフェースメタライゼーション。検出器側がコンプライアントで超伝導フレンドリーな接合を求めるときは、インジウムバンプラインとペアで。

冷却検出器面ごとにAuSnまたはIn1プログラム
🔬

UHV装置ハードウェア

表面科学・ビームライン・分析装置のためのパッド・シールリング・ボンダブル面。フラックスの指紋ひとつが残留ガススペクトルを支配しうる世界です。

UHV装置ベークアウト耐性オールメタル表面
🔭

低温のフォトニクス

極低温フォトニクス・トランスダクション実験のためのAuSnアタッチ済みフォトニックダイとメタライズ済み光学キャリア。当社フォトニクスバンプサービスと同じフローで。

極低温フォトニクスAuSnアタッチフォトニクスと共有フロー
📚

R&Dハードウェアバッチ

実験装置構築のための単一キャリア・小規模サブマウントバッチ・図面対応のワンオフメタライズ部品。図面から見積り、ボンダー準備完了で納品します。

1個から図面対応ボンダー準備完了
なぜ株式会社ナノシステムズJPか
当社の極低温 / UHV能力が異なる理由
01

AuSnはホームグラウンド

当社のAuSn多層フローはフォトニクスプログラムに日々貢献しています。このサービスは、その実証済みの規律を真空・クライオスタットビルダーへ向けたものです。

02

両方の接合哲学を

剛性・気密のAuSnとコンプライアントなインジウムが隣接ラインに。当社の都合ではなく、実装ごとに推奨します。

03

構造からして清浄

フラックスなし・有機物なしは洗浄工程ではなくプロセス設計です:オールメタルスタック、フラックスレス接合、除去すべきものが最初からありません。

04

キャリアも込みで

AlN・SiCサブマウントを同じプログラムでメタライズ・パターニング・ダイシング。放熱パスは調達プロジェクトではなく、完成品として届きます。

05

研究ロットがネイティブ

単一ウェーハ、単一キャリア、図面対応のワンオフ部品:実験ビルダーが実際に必要とするロットサイズを、遠慮なく。

06

1つのプログラム、1人のマネージャー

メタライゼーション・キャリア・隣接するバンプと接合サービスが1本のスレッドとして、専任プロジェクトマネージャーのもとで進行します。

関連サービス:パッケージング & アセンブリ
ダイアタッチ・フリップチップ、そしてこれらメタラジーの実装側は、AuSnを含む独立したサービスです。

パッケージング & アセンブリ →

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基板材料・サイズ  ·  対象プロセス  ·  数量  ·  スケジュール  ·  設計ファイル(初回は不要)
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sales@nanosystemsjp.co.jp · +81-3-5288-5569 · NDA対応可

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サービス & 産業分野
⚙️ 技術能力 概要
基板
🔷 基板・ウェーハSi, SiC, GaN, ガラス, サファイア 🔬 溶融石英ウェーハ石英 · ホウケイ酸ガラス · 低CTE 🟣 PIフィルム・SUSセンサーロールツーロール · センサーパターニング
フロントエンド
🎭 マスク製造GDSからクロームマスク, DRC 📷 フォトリソグラフィEビーム 20nm〜500×600mm 🔬 ナノインプリントUV・熱インプリント 🫧 薄膜成膜PVD, CVD, ALD, MBE 🖥 TFT・バックプレーンIGZO · ガラス基板 · ディスプレイ ⬆️ リフトオフ金属パターン · シャドウマスク ⚡ 電気めっきCu TSV充填, DPC, LIGA 🌊 エッチングICP-RIE, DRIE >50:1 🔥 アニールN₂ / H₂ / 真空 / RTA ⚛️ Ion ImplantationB / P / As / Al / N implant 🔄 CMP & GrindingCu CMP, 50 µm thinning 💎 DicingBlade, stealth laser 🧪 Wafer CleaningRCA, plasma, megasonic
アドバンスドパッケージング
🔗 Wafer BondingHybrid, eutectic, fusion 📌 TSV FabricationHigh AR, void-free Cu fill 👁️ TSV RevealBackgrind → etch → CMP 🪟 TGV FabricationThrough-glass via 🔀 RDL FabricationBCB / PBO / PI + damascene 📦 Packaging & AssemblyWire bond, flip-chip 📚 3D / 2.5D PackagingTSV + RDL + UBM + C4 🥇 AuSn BumpPVD lift-off, fluxless 🥈 Indium BumpEvap lift-off · cryo/quantum 🧱 UBM DepositionTi/Pt/Au · adhesion-barrier-Au 🪙 Gold BumpEvap & plated · Au-Au TC 🔥 AuGe / AuSi356/363°C eutectic die attach 🛰️ High-Pb Bumps95Pb5Sn · hi-rel C4 ⚗️ SLID / TLPCu/Sn · Au/In · Ag/In 🔒 Al-Ge Sealing424°C · CMOS-friendly MEMS ⚡ Ohmic ContactsGaAs · GaN · RTA + TLM 🧊 Cryo / UHV MetalAuSn · Ti/Pd/Au · rings 🪟 Optical AccessWindows · meshes · holes 🫙 Vapor CellsDRIE + bond · unfilled 💠 TFOI WafersQuartz-on-Si · LNOI 🧬 Biochip & MicrofluidicsGlass 500×600 mm, NIL 🔆 SiPho PackagingTSV · RDL · UBM · C4 for PIC
産業分野
🤖 AI & HPC PackagingCoWoS-style, 2.5D / 3D 💡 Silicon PhotonicsSOI · AuSn · TSV interposer 🚗 AutomotiveMEMS sensors, SiC power 🧬 Life SciencesLab-on-chip, biosensors 🔭 All Industries → Request a Quote →