C4バンプの原点は、今も認定済みのバンプ
高鉛はんだバンプは最初のフリップチップインターコネクトであり、めっきが主流になる数十年前からシャドウマスク蒸着で作られてきました。狭くとも要求の厳しい顧客層のために生産が続く理由は3つです。
数十年の認定済みデータ
高鉛C4は、長年にわたり使用実績と信頼性データが蓄積されてきた代表的なフリップチップ接合方式です。熱疲労モデル・クリープ挙動・エレクトロマイグレーション限界・故障統計は数十年のメインフレーム・高信頼生産で確立され、宇宙・高信頼性プログラムはまさにその認定体系に対して認証されています。メタラジーを変えればシステムの再認定、維持すればプロセスの調達が課題になります。後者を解決するのが当社です。
高融点の熱階層
約310〜320°Cで溶融する高鉛接合は、その下のすべてのSnAgリフローを通じて固体のままです。オリジナルのC4アーキテクチャと同じように、多段階実装の第一レベルインターコネクトとして機能します。軟らかくコンプライアントな鉛マトリクスは熱サイクルひずみも吸収します。数十年のデータが記述しているのは、まさにその疲労挙動です。
適用除外分野のアプリケーション
高鉛はんだは、高融点はんだ用途を含む適用可能なRoHS適用除外の範囲で使用できる場合があります。適用可否と最終用途要件はプログラムごとにご確認ください。放射線感受性エレクトロニクス向けには、アルファ粒子ソフトエラー率を制御する低アルファ鉛原材料をリクエストで対応します。
原点の方法で蒸着し、現代の方法でパターニング
歴史的なC4ラインはモリブデンシャドウマスクを通してPbとSnを蒸着しました。当社は同じ物理を現代のリフトオフレジストで実行します：Pb/Sn積層を目標組成へ蒸着し、リフトオフ。シャドウマスクには決してなかったフォトリソグラフィの位置合わせ精度とともに。
高鉛C4の主流合金：コンプライアントで疲労モデル化済み、下層のSnAgリフローを通じて固体。再生産・高信頼フリップチップのデフォルトです。
実装シーケンスまたは使用温度が95/5を超える余裕を求める場合の、より高階層のバリエーションです。
C4バンプの下にあったオリジナルのボールリミッティングメタラジー。従来仕様に忠実な再現のため同一フローで蒸着・リフトオフ。現代の代替としてTi/Ni/Auも対応。
放射線感受性・メモリ隣接エレクトロニクス向けの低アルファ放出鉛原材料。プログラムごとに材料証明書付きで見積もります。
- Pb/Sn積層蒸着：組成はレイヤー厚比で設定
- ステッパー位置合わせによるリフトオフパターニング
- クラシックCr / Cr-Cu / Cu / Au BLMまたはTi/Ni/Au UBMを下地に
- プロファイロメトリー高さマップとSEMが標準
- レガシープロセス再現：文書化サポート付き
- 適用可能なRoHS適用除外のもとで取り扱い：用途カテゴリはRFQ時に確認
- 1枚から対応：レガシー品の再製造・最終調達ロット歓迎
代表的な高鉛バンププロセス仕様
| パラメータ | 95Pb/5Sn | 97Pb/3Sn |
|---|---|---|
| 融点 | 約310°C | 約320°C |
| ウェーハサイズ | 4〜12インチ（100〜300mm） | |
| 成膜方式 | Pb/Sn積層蒸着：組成はレイヤー厚比で設定 | |
| パターニング | リフトオフ · ステッパー位置合わせ ±0.5µm | |
| バンプ高さ | 成膜まま3〜10µm | |
| 最小ピッチ | ~25µm 標準（C4クラス形状） | |
| ベースメタラジー | クラシックCr / Cr-Cu / Cu / Au BLM、またはTi/Ni/Au | |
| 組成検証 | レイヤー厚比で設定 | |
| 低アルファ材料 | 低アルファ鉛原材料をリクエストで：証明書付き | |
| 規制範囲 | 鉛85%以上のはんだに関するRoHS適用除外分野：RFQ時に確認 | |
| 検査 | プロファイロメトリー + SEMが標準 · せん断試験はご要望に応じて対応 | |
| 最低ロット | 1枚から：レガシー品の再製造・最終調達ロットに対応 | |
宇宙・高信頼性・レガシーシステムにわたる高鉛バンプ
宇宙飛行エレクトロニクス
高鉛メタラジーを軸に認定された衛星・打上げハードウェア向けフリップチップインターコネクト。既存の熱疲労・真空ヘリテージこそが合金指定の理由であり、回避されているコストは再認定です。
アビオニクス・高信頼性用途
長年確立された認定ベースラインのもとで走るアビオニクス・高信頼性プログラム向けの高信頼フリップチップとダイアタッチ。それらのプログラムが監査するプロセス文書とともに供給します。
レガシーC4再生産・最終購入
オリジナルのC4供給元が消えたとき、お客様の仕様書から蒸着高鉛プロセスを再現します。単一ウェーハからブリッジロットまで、再設計なしで認証済みシステムへの供給を維持します。
高温階層
下流のSnAg実装を通じて固体を保たなければならない第一レベル接合。約310〜320°Cの融点が、オリジナルのC4アーキテクチャと同じ階層の仕事をします。
放射線感受性実装
アルファ粒子ソフトエラーが問題になるエレクトロニクス（メモリ隣接ダイ・計測機器）向けの低アルファ鉛調達。プログラムごとに材料証明書付きで納品します。
レガシープロセス研究
故障解析・信頼性研究・ヘリテージプロセス研究のために、認定済みレガシースタックを再現する単一ウェーハラン。歴史的メタラジーに現代の計測を。
当社の高鉛能力が異なる理由
蒸着は当社のネイティブルート
高鉛C4は蒸着メタラジーであり、蒸着 + リフトオフは当社バンプファミリー全体を走らせる規律です。プロセスの翻訳も、めっきによる妥協もありません。
従来C4構造を現代のリソグラフィ精度で再現
クラシックCr / Cr-Cu / Cu / Au BLMとPb/Sn積層蒸着を、シャドウマスクの代わりにステッパーリソグラフィで。オリジナルの物理を現代の精度で。
少量・試作ロットにも対応
再生産プログラムに必要なのは、数量コミットではなく、完全な文書付きの1〜数枚のウェーハです。1枚からは当社の標準提供であり、例外ではありません。
トレーサビリティを考慮した工程・検査記録
プロセス仕様・検査データを高信頼性レビュー向けにパッケージ化。既存プロセスの再現では、製造条件だけでなく工程記録や検査データの整備も重要です。
材料調達も解決済みで
標準および低アルファ鉛原材料をプログラムごとに証明書付きで見積もり。調達の問題は解決された状態で届きます。
はしご全体を1つのフローで
高鉛・AuSn・インジウム・金・UBMがリソグラフィと蒸着を共有し、専任プロジェクトマネージャーのもとで進行します。混合メタラジープログラムが一つのプロジェクトに収まります。
プロジェクトを開始しましょう。
通常1営業日以内にご連絡します。
合金・バンプ形状・ベースメタラジー・用途カテゴリ・数量をお知らせください。エンジニアが通常1営業日以内にご連絡します。