低アウトガス性と極低温信頼性を考慮したメタライゼーション
真空と低温に入るメタライゼーションを支配するルールは3つあり、いずれも成膜段階の決定です。お客様の実装がチャンバーに入る前に決まっています。
低アウトガス性を重視した金属スタック
このサービスで成膜するすべての層は金属です：AuSn・Ti・Pd・Pt・Au。フラックスは接合に一切触れず、ポリマーはスタックに入らず、ベークアウト中に脱離を待つ有機残渣もありません。蒸着AuSnは真空またはフォーミングガス中でフラックスレス接合します。このようなオールメタル構成は、UHV装置や極低温機器において、アウトガスや有機残渣を抑えるための有効な選択肢です。
清浄なだけでなく、低温のための選定
極低温の熱サイクルでは、接合材料と構造の適切な選定が重要です。当社は両方の答えを1つのフローに置いています：CTE整合が取れベークアウトが続く実装には剛性・気密のAuSnを。300K〜4Kの繰り返しサイクルが「割れる代わりに変形する」接合を要求する場合は、コンプライアントなインジウムを。キャリア（AlNとSiC）は低温での熱伝導特性を踏まえて選定します。
塗るのではなく、パターニングする
真空ハードウェアは、設計どおりの場所だけに金属を求めます：ダイに合ったボンドパッド、リッドに合ったシールリング、光路とビームパスを避ける配線。リフトオフがそのすべてを±0.5µmで与えます。フィードスルーと窓が求めれば両面で。スタックは1回の真空引きで成膜され、界面は一度も大気に触れません。
スタック・リング・フロー
キャリアに載るもの、シールリングの上面図、そして素の基板からフラックスレス接合までの4ステップ。
AuSn・Ti/Pd/Au・シールリング・メタライズ済みキャリア
4つの納品ファミリーを、お客様のウェーハ上、形状が許せば機械加工部品上、または当社が用意するキャリア基板上に成膜します。膜厚とシーケンスは、ボンダー・ベークアウトスケジュール・熱環境に合わせてプログラムごとに設計します。
ダイまたはキャリア上の蒸着Au/Sn多層。真空またはフォーミングガス中でフラックスレス接合。気密・低ボイド、一般的な真空ベークアウト温度を考慮した高耐熱接合。フルフローはAuSnページに。
真空機器向けに広く使用されるメタルスタック：密着・バリア・貴金属仕上げの、ワイヤボンド可能ではんだ濡れ性のスタック。Si・ガラス・サファイア・溶融石英・AlN上のパッド・配線・グラウンドプレーン。
リッド・窓・セルボディのための低アウトガス用途向けのパターニング済みシールリング。AuSn、熱圧着用Au、SLIDカップルで。接合する両基板のシールパターンを位置合わせして形成します。
窒化アルミニウムと炭化ケイ素のキャリアプレート・サブマウント。上記スタックでパターニングし、図面どおりにダイシング。コールドステージの放熱パスです。
- オールメタルスタック：フラックス・有機物・ポリマーはどこにもなし
- 全スタックを1回の真空引きで：成膜前にその場クリーニング
- リフトオフパターニング±0.5µm：両面アライメント対応
- 基板：Si・ガラス・溶融石英・サファイア・AlN・SiC
- コンプライアントなインジウムは姉妹サービスで
- 接合用ウェーハペアにはシールリングを表裏整合
- プログラムごとの検査：SEM・断面はリクエストで
- ウェーハまたはキャリアバッチ1つから：試作からリピートロットまで
完全な極低温 / UHVメタライゼーションパラメータ
| パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| ダイアタッチメタラジー | AuSn多層PVD・フラックスフリー・共晶278°C：インジウムは姉妹サービスで |
| 表面スタック | Ti/Pd/Au・Ti/Pt/Au・Ti/Au、密着・バリア・貴金属シーケンスはプログラムごと |
| シールリング | AuSn・Au（熱圧着）・SLIDカップル：幅 ~20µmから |
| スタック中の有機物 | なし：オールメタル・フラックスレス・ポリマーフリー |
| ウェーハサイズ | 4〜12インチ（100〜300mm）- ピース・キャリアは図面対応 |
| 基板 | Si・ガラス・溶融石英・サファイア・AlN・SiC（その他はリクエストで） |
| パターニング | リフトオフ ±0.5µm：両面アライメント対応 |
| 成膜 | Eビーム / 抵抗加熱蒸着 · 1回の真空引き · その場クリーニング |
| キャリア納品 | 図面どおりにメタライズ・パターニング・ダイシングしたAlN / SiCサブマウント |
| 計測 | プログラムごとの検査：SEM・断面はリクエストで |
| 最低ロット | 1枚から：同一レシピで試作からリピートロットまで |
真空と低温がルールを決める場所
イオントラップ実装
真空槽内のキャリア上トラップダイのためのフラックスレスAuSnアタッチ。レーザーパスを塞がないTi/Pd/Auパッドと配線。トラップの近くに有機物は一切ありません。
クライオスタットステージ・サブマウント
4Kステージのためのメタライズ済みAlN・SiCサブマウント：ダイアタッチランド、放熱パス、そしてクールダウンサイクルを剥離やクリープの驚きなしに耐えるワイヤボンド面。
極低温検出器アセンブリ
冷却検出器・センサーアセンブリのためのアタッチ・インターフェースメタライゼーション。検出器側がコンプライアントで超伝導フレンドリーな接合を求めるときは、インジウムバンプラインとペアで。
UHV装置ハードウェア
表面科学・ビームライン・分析装置のためのパッド・シールリング・ボンダブル面。フラックスの指紋ひとつが残留ガススペクトルを支配しうる世界です。
低温のフォトニクス
極低温フォトニクス・トランスダクション実験のためのAuSnアタッチ済みフォトニックダイとメタライズ済み光学キャリア。当社フォトニクスバンプサービスと同じフローで。
R&Dハードウェアバッチ
実験装置構築のための単一キャリア・小規模サブマウントバッチ・図面対応のワンオフメタライズ部品。図面から見積り、ボンダー準備完了で納品します。
当社の極低温 / UHV能力が異なる理由
AuSnはホームグラウンド
フォトニクスプログラム向けに確立したAuSn多層フローを、真空・クライオスタットビルダーの要件に適用したサービスです。
両方の接合哲学を
剛性・気密性のあるAuSnとコンプライアントなインジウムの両方を提供。当社の都合ではなく、実装ごとに推奨します。
構造からして清浄
フラックスなし・有機物なしは洗浄工程ではなくプロセス設計です：オールメタルスタック、フラックスレス接合、除去すべきものが最初からありません。
キャリアも込みで
AlN・SiCサブマウントを同じプログラムでメタライズ・パターニング・ダイシング。放熱パスは調達プロジェクトではなく、完成品として届きます。
研究開発向けの少量ロットに対応
単一ウェーハ、単一キャリア、図面対応のワンオフ部品：実験ビルダーが実際に必要とするロットサイズを、遠慮なく。
1つのプログラム、1人のマネージャー
メタライゼーション・キャリア・隣接するバンプと接合サービスが1本のスレッドとして、専任プロジェクトマネージャーのもとで進行します。
プロジェクトを開始しましょう。
通常1営業日以内にご連絡します。
納品物・スタック・基板・環境・数量をお知らせください。エンジニアが通常1営業日以内にご連絡します。