Cuピラー・SnAg
マイクロバンプ形成
SnAgキャップ付き銅ピラーおよびSnAgはんだマイクロバンプを、お客様のウェーハまたはチップに形成します。UBM、めっき、検査はパッド構成、ピッチ、実装条件に合わせて定義し、めっき後（未リフロー）かリフロー後かを選択いただけます。
レイアウトごとに検討
リフロー後
加工前に取り決め
ダイシング済みチップ
対応を検討
実装フローに合う接続方式を選択します
パッドレイアウト、必要なスタンドオフ、実装条件をご指定ください。金属構成と工程順序は、受け入れるウェーハとパッシベーションと併せて検討します。
SnAgキャップ付きCuピラー
UBM、銅ピラー、バリア、キャップを一つのスタックとして扱います。ピラー径・高さ・キャップ量をアレイレイアウトに対して検討し、リフロー後かめっき後（未リフロー）かを加工前に取り決めます。
SnAgはんだマイクロバンプ
SnAg組成とバンプ形成ルートを見積書で定義します。パッド開口、はんだ量、間隔を選択形状に対して検討し、バンプのみの納品または実装評価についても、相手部品と試験条件を確認のうえご相談を承ります。
仕様を決める項目
必要な寸法と、お手元のウェーハの情報をお送りください。その組み合わせに対して、対応可能な形状、工程範囲、ロットサイズ、検査計画を見積書で定義します。
| 項目 | お問い合わせに含めていただきたい内容 |
|---|---|
| 基板と形態 | 材料、ウェーハ径またはチップ寸法、厚さ、反り、キャリアやハンドリング上の制約。 |
| アレイとパッドレイアウト | GDSまたは寸法入り図面。バンプピッチ、径、個数、端部クリアランス、チップ内の配置。 |
| ピラーとはんだ形状 | 必要なピラー高さと径、はんだキャップ厚または量、納品時の目標状態。 |
| パッド・パッシベーション・UBM | 既存のパッド金属と層構成、パッシベーション材料と開口、表面形状、希望するUBM構成。 |
| 熱・薬液の制限 | 最高プロセス温度、使用できない薬品や金属、既存のデバイス層、ハンドリング上の制約。 |
| 納品と受入基準 | 数量、希望納期、ウェーハまたはダイシング済みチップの別、バンプのみか実装まで含むか、必要なデータ。 |
パッドから完成バンプまで
代表的なめっき工程です。実際の工程表（プロセストラベラー）は、デバイス、パッド構成、希望する納品状態を確認したうえで定義します。
- レイアウトとパッドの確認 バンプ配置、パッド開口、パッシベーション、ウェーハのハンドリング、相手部品との接続方法を確認します。
- 表面処理とUBM形成 デバイスの制約内で接触面を処理し、選定した密着層・バリア層・シード層を形成します。
- レジストモールドのパターニング 指定のバンプ径、ピッチ、高さに合わせてめっきモールドをパターニングし、形状と位置合わせを確認します。
- 金属めっき 選定したCu、バリア、SnAgの順序、またはSnAgバンプ構造を、取り決めためっきルートで形成します。
- モールド除去と仕上げ レジストと露出したシード層を除去します。指定に応じてはんだキャップのリフローや追加の表面処理を行います。
- 検査と納品 取り決めた形状と表面状態を確認し、バンプ付きウェーハを納品またはダイシング工程へ進めます。
加工前に測定項目を取り決めます
次工程に必要な検査を選択してください。破壊検査、電気評価構造、犠牲サンプルは見積書の一部として計画します。
バンプ形状と配置
アレイの光学検査と寸法測定（配置、欠損バンプ、欠陥を含む）。
高さとコプラナリティ
取り決めたウェーハまたはチップ上の位置での適切な表面形状測定法による高さ・共面性の評価。
金属構成と断面
必要に応じた層厚、断面、組成の測定。
機械・電気評価
適切なサンプル、構造、基準が定義されている場合のバンプシアやデイジーチェーン評価。
納品：取り決めためっき後（未リフロー）またはリフロー後の状態のバンプ付きウェーハ、ハンドリング検討のうえダイシングしたバンプ付きチップ、ロット識別付きの検査データ。相手基板と併せた見積によりフリップチップ実装評価も対応します。
要求の厳しいパッケージング案件向けの接続
チップレット・インターポーザ
チップレット実装、シリコン・ガラスインターポーザ、再配線層向けの狭ピッチ接続。
フォトニクス・光デバイス
実装位置精度とスタンドオフが光路を左右するハイブリッド集積向けのバンプ。
MEMS・センサー・イメージング
積層センサーアセンブリや読み出し回路との集積に向けたバンプ付きウェーハ。
レイアウトをお送りいただく前に
CuピラーとSnAgはんだバンプの違いは何ですか。
Cuピラーは銅の柱でスタンドオフの大部分を決め、はんだキャップが接合を担います。SnAgバンプははんだ量、はんだが濡れるパッド領域、リフローで接合形状が決まるため、狭ピッチでの挙動が異なります。
支給ウェーハに対応できますか。
評価のうえ対応します。材料、直径、厚さ、パッド構成、パッシベーション、表面形状、プロセス制限をお知らせください。完成デバイスウェーハでは熱・薬液の制限もご指定ください。
開発数量にも対応できますか。
開発ロットは個別に検討します。最低数量、マスクの要否、プロセス開発作業の有無は、材料、形状、ルートによって決まります。
バンプ形成に実装まで含められますか。
実装も案件の一部としてご相談いただけます。相手基板、位置合わせ要件、実装プロファイル、アンダーフィルや封止の要否、検査基準を事前に確認します。
お問い合わせ前にすべての工程層を指定する必要がありますか。
いいえ。パッド構成の説明、バンプ図面、目標スタンドオフ、数量、実装要件があれば技術検討を開始できます。
プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内にご返信いたします。
UBMスタック・開口サイズ・パッド金属・後工程のはんだ・数量をお知らせください。エンジニアが1営業日以内にご返信いたします。