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基板・ウェーハ 溶融石英ウェーハガラス加工 PIフィルム・SUSセンサー
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マスク製造 フォトリソグラフィ ナノインプリント 薄膜成膜ALDコーティングPECVD誘電体ウェーハメタライゼーション TFT・バックプレーン リフトオフ 電気めっき電鋳・LIGA エッチングICP-RIEエッチングMEMSファウンドリマイクロチャネル冷却熱評価チップ温度センサー深掘りエッチング(DRIE)シリコンキャパシタ アニール イオン注入 CMP・研削ウェーハ薄化裏面メタライズテストウェーハデイジーチェーン試験ダイ ダイシングステルス・レーザーダイシング ウェーハ洗浄洗浄薬液
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ウェーハボンディング陽極接合MEMSキャップウェーハ TSV製造インターポーザ TSVリビール TGV製造ガラスTGVクーポン RDL製造 パッケージング・実装フリップチップ実装 3D/2.5Dパッケージング AuSnバンプレーザーサブマウント インジウムバンプ UBM成膜Cuピラー・SnAgバンプ 金バンプ AuGe・AuSiダイアタッチ 高鉛はんだバンプ SLID/TLPスタック Al-Ge MEMS封止 オーミックコンタクトSiC加工GaN・III-V 極低温・UHVメタライゼーション 光学アクセス部品 MEMS蒸気セル 薄膜オンインシュレータ バイオチップ・マイクロ流体 シリコンフォトニクスパッケージングフォトニックデバイス
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利用規約

最終更新日:2026年9月3日

1. 適用範囲

本規約は nanosystemsjp.co.jp の利用に適用されます。個別の取引については、プロジェクトごとに合意する見積書、注文書およびNDAが優先して適用されます。

2. 仕様は参考情報であり申込みではありません

本ウェブサイトに記載する仕様、範囲およびプロセスの説明は、一般的な参考情報です。個別のプロジェクトに関する法的拘束力のある申込み、または適合性、性能もしくは結果の保証を構成するものではありません。個別の業務範囲、仕様、受入基準および取引条件は、技術検討を経て、適用される書面の契約書類において合意します。

3. 知的財産

本ウェブサイトの文章、画像、図表およびダウンロード資料は、株式会社ナノシステムズJPまたは各権利者に帰属します。当社サービスの検討を目的とした閲覧および印刷は可能ですが、それ以外の利用には書面による許可が必要です。

4. 送信情報

ご送信いただくファイルおよび情報について、お客様が共有する権利を有していることをご確認ください。NDAおよび輸出管理の確認が完了する前に、輸出規制対象の技術情報を送付しないでください。サイト内テクニカルアシスタントに入力された情報は、プライバシーポリシーに記載のとおり外部の言語モデルサービスで処理されます。

5. 外部リンク

本サイトからリンクされた外部ウェブサイトの内容について、当社は責任を負いません。

6. 免責

法令で認められる範囲において、当社はウェブサイトの内容への依拠またはウェブサイトの中断により生じた損害について責任を負いません。

7. 準拠法・管轄

本規約は日本法に準拠します。本規約に関する紛争は、東京地方裁判所を第一審の専属的合意管轄裁判所とします。

8. お問い合わせ

sales@nanosystemsjp.co.jp

Nanosystems JP Inc.

株式会社ナノシステムズJP

精密MEMS・半導体・ナノ加工ファウンドリサービス
世界中からご利用いただけます。

✉sales@nanosystemsjp.co.jp
📞+81-3-5288-5569
📍〒100-0005
東京都千代田区丸の内1-8-3
丸の内トラストタワー本館 20階
前工程
基板・ウェーハ 溶融石英ウェーハ PIフィルム・SUSセンサー加工 マスク製造 フォトリソグラフィ ナノインプリント 薄膜成膜ウェーハメタライゼーション TFT・バックプレーン リフトオフパターニング 電気めっき エッチング深掘りエッチング(DRIE) アニール イオン注入 CMP・ウェーハ研削 ダイシング ウェーハ洗浄
後工程
ウェーハボンディング TSV製造 TSVリビール TGV製造 RDL製造 パッケージング・実装 3D/2.5Dパッケージング AuSnバンプ インジウムバンプ UBM成膜 金バンプ AuGe・AuSiダイアタッチ 高鉛はんだバンプ SLID/TLPスタック Al-Ge MEMS封止 オーミックコンタクト 裏面メタライズ 極低温・UHVメタライゼーション 光学アクセス部品 MEMS蒸気セル 薄膜オンインシュレータ バイオチップ・マイクロ流体 シリコンフォトニクスパッケージング
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基板
🔷 基板・ウェーハSi, SiC, GaN, ガラス, サファイア 🔬 溶融石英ウェーハ石英・ホウケイ酸・低CTE🔹 ガラス加工穴あけ・エッチング・研磨 🟣 PIフィルム・SUSセンサー加工ロールツーロール・センサーパターニング
前工程
🎭 マスク製造GDS→クロームマスク, DRC 📷 フォトリソグラフィEビーム 20nm〜500×600mm 🔬 ナノインプリントUV・サーマルNIL 🫧 薄膜成膜PVD, CVD, ALD, MBE🔹 ALDコーティングコンフォーマル酸化物・窒化物🔹 PECVD誘電体SiO₂・SiN・SiON・a-Si ⬆️ リフトオフ金属パターン・シャドウマスク ⚡ 電気めっきCu TSV充填, DPC, LIGA🔹 電鋳・LIGANiシム・メッシュ・微細構造 🌊 エッチングICP-RIE, DRIE >50:1🔹 ICP-RIEエッチングSi・酸化膜・III-V・SiC・石英🔹 MEMSファウンドリセンサー・アクチュエータ・流体🔹 マイクロチャネル冷却エッチング・接合・ヒーターチップ🔹 熱評価チップヒーターダイ・多ゾーン・RTD🔹 温度センサーPt/NiCr RTD・熱電対 🔥 アニールN₂ / H₂ / 真空 / RTA ⚛️ イオン注入B / P / As / Al / N 🔄 CMP・研削Cu CMP, 50µm薄化🔹 ウェーハ薄化キャリア上で50 µmまで🔹 裏面メタライズTi/Ni/Ag・Ti/Ni/Au・Ti/Cu🔹 テストウェーハCMP・プロセス評価用ウェーハ🔹 デイジーチェーン試験ダイダミーダイ・チェーン・バンプ 💎 ダイシングブレード・ステルスレーザー🔹 ステルス・レーザーダイシング300 mm Si・ガラス、SDBG 🧪 ウェーハ洗浄RCA, プラズマ, メガソニック🔹 洗浄薬液ピラニア・SC-1・SC-2・RCA
先端パッケージング
🔗 ウェーハボンディングハイブリッド・共晶・直接接合🔹 陽極接合ガラス-Si、キャビティ🔹 MEMSキャップウェーハキャビティ・ポート・シール・接合 📌 TSV製造高アスペクト比・Cu充填🔹 インターポーザSi・ガラス、TSV/TGV+RDL 👁️ TSVリビールバックグラインド→エッチング→CMP 🪟 TGV製造ガラス貫通ビア🔹 ガラスTGVクーポン穴あけのみ〜配線付き試作 🔀 RDL製造BCB / PBO / PI + ダマシン 📦 パッケージング・実装ワイヤボンド・フリップチップ🔹 フリップチップ実装熱圧着・リフロー・AuSn 📚 3D / 2.5D パッケージングTSV + RDL + UBM + C4 🥇 AuSnバンプPVDリフトオフ・フラックスレス🔹 レーザーサブマウントSi・AlNサブマウント、光学ベンチ 🥈 インジウムバンプ蒸着リフトオフ・極低温/量子 🧱 UBM成膜Ti/Pt/Au・密着/バリア/Au🔹 Cuピラー・SnAgバンプSnAgキャップ付きピラー・SnAgバンプ 🪙 金バンプ蒸着&めっき・Au-Au熱圧着 🔥 AuGe/AuSi361/363°C共晶ダイアタッチ 🛰️ 高鉛バンプ95Pb5Sn・高信頼C4 ⚗️ SLID/TLPCu/Sn・Au/In・Ag/In 🔒 Al-Ge封止424°C・CMOS互換MEMS ⚡ オーミックGaAs・GaN・RTA+TLM🔹 SiC加工薄化・成膜・電極・ダイシング🔹 GaN・III-VGaN・GaAs・InP加工 🧊 極低温・UHVAuSn・Ti/Pd/Au・リング 🪟 光学アクセス窓・メッシュ・貫通孔 🫙 蒸気セルDRIE+接合・未充填 💠 TFOI基板水晶on-Si・LNOI 🧬 バイオチップ・マイクロ流体ガラス 500×600mm, NIL 🔆 シリコンフォトニクスパッケージングTSV · RDL · UBM · C4🔹 フォトニックデバイスSiN/SOI導波路・グレーティング
産業分野
🤖 AI・HPCパッケージングCoWoSスタイル, 2.5D / 3D 💡 シリコンフォトニクスSOI · AuSn · TSVインターポーザー 🚗 自動車MEMSセンサー・SiCパワー 🧬 ライフサイエンスラボオンチップ・バイオセンサー 🔭 全産業分野 → 見積依頼 →