ALDコーティング
サービス
コンフォーマルであることが必須の層に原子層堆積を適用します：ビアライナー、ゲート絶縁膜、パッシベーション、防湿バリア、拡散バリア。熱ALDとプラズマALDで、数nmから数百nmまで、最大300 mmウェーハに対応します。
標準
高アスペクト比形状で
範囲
形態
ALDが力を発揮する場面
逐次的な自己制限型表面反応により、サイクル数による膜厚制御と、スパッタでは届かない深い構造内部への被覆性が得られます。1サイクル当たりの成長量は材料とプロセスに依存し、一般に1原子層未満です。
模式図。ALDは適格性を確認した形状において、ビア側壁やアンダーカットを含む表面形状に追従します。
ビア・トレンチライナー
TSV・TGV内部のAl₂O₃またはSiO₂絶縁ライナー、Cuシード下のTiN・TaNバリア。TSV参照。
ゲート絶縁膜
GaN HEMT、酸化物半導体、研究用トランジスタ向けのHfO₂、Al₂O₃、ZrO₂。界面処理は積層ごとに取り決め。
パッシベーション・封止
MEMS、センサー、光学部品へのピンホールフリー防湿バリア。ポリマーやIII-V表面向けの低温ルート。
光学・屈折率層
サイクル精度の膜厚によるフィルター・AR膜向けTiO₂、Al₂O₃、SiO₂積層。
クラッド・ギャップ充填
エッチング済みフォトニクス構造上へのコンフォーマルSiO₂。ボイドなくギャップを埋める用途。
金属ALD
段差被覆性が重要なバリア、電極、シードとしてのTiN、TaN、Ru。
ALDコーティング サービス
対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。
対応範囲の目安
| 項目 | 目安・条件 | 備考 |
|---|---|---|
| 材料 | Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、TiO₂、SiO₂、ZnO、TiN、TaN、Ru | その他はご相談 |
| 膜厚 | 1〜300 nm | サイクル数で設定。それ以上は取り決めにより |
| 均一性 | 面内膜厚均一性をロットごとに報告 | 測定方法と位置を取り決め |
| 温度 | 熱ALD 80〜300°C。低温側はプラズマALD | 熱バジェットに合わせて選定 |
| 基板 | Si、ガラス、III-V、ポリマー、パターン・エッチング済みウェーハ。小片〜300 mm | ウェーハ形態。ロールツーロールALDは対応外 |
| 被覆性 | 適格性を確認した高アスペクト比形状で高い被覆性 | お客様の形状で断面確認 |
ALDのお見積りのために
| 項目 | あると助かる情報 |
|---|---|
| 膜 | 材料、目標膜厚と公差、屈折率または電気特性の要件 |
| 基板 | 材料、サイズ、表面状態、既存の膜とアスペクト比を含む構造 |
| 熱バジェット | ウェーハが許容できる最高温度 |
| 検査 | エリプソメトリ、断面、電気試験など必要に応じて |
| 数量 | 小片またはウェーハの数量と希望納期 |
発注前に確認されることの多い質問
支給基板にコーティングできますか？
はい。表面と熱バジェットを確認のうえ、シリコン、ガラス、III-V、ポリマー、パターン・エッチング済みウェーハに対応します。
膜厚の範囲は？
標準1〜300 nm。サイクル数で設定し、それ以上は取り決めにより。
ロールツーロールALDは可能ですか？
いいえ。ALDは最大300 mmのウェーハ・小片形態で行います。
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1営業日以内を目安にご連絡いたします。
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