GaN・III-V
ウェーハ加工
GaN、GaAs、InPデバイスのエピ後工程：コンタクト、メサ・ビアエッチング、イオン注入、パッシベーション、GaN-on-Siの貫通ビア、バンプ、ダイシング。2インチの研究用小片から8インチGaN-on-Siまで対応します。
径
スタック
エッチング
発注数量
エピとパッケージングの間の工程
オーミック・ショットキーコンタクト
GaNにTi/Al/Ni/AuやTi/Al/Mo/Au、n-GaAsにAuGe/Ni/Au、p型にTi/Pt/AuやPd系、Ni/AuやPtゲート。リフトオフとRTA合金化。オーミックコンタクト参照。
メサ・分離・ビアエッチング
GaNとGaAsにCl₂/BCl₃ ICP-RIE、InPにCH₄/H₂。メサエッチの代替としてイオン注入分離。エッチング参照。
注入とアニール
分離・ドーピング注入。MgドープGaNの700〜1000°Cでの脱水素化。注入Mgの活性化は開発案件として検討。イオン注入参照。
パッシベーション・誘電体
PECVD SiNとALD Al₂O₃のパッシベーション・ゲート絶縁膜。InP向け低温ルート。
貫通ビア
RF・パワーデバイス向けGaN-on-SiのTSV、裏面メタライゼーションとRDL、レイアウトに応じたスロットビア。TSV参照。
バンプ・薄化・ダイシング
フリップチップ用AuSn、金、Cuピラーバンプ。キャリア上の薄化。脆い基板向けレーザー・ブレードダイシング。
GaN・III-V ウェーハ加工
対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。
材料別
| 材料 | 代表的な加工 | 備考 |
|---|---|---|
| GaN-on-Si | コンタクト、メサエッチ、パッシベーション、TSV、裏面金属、RDL。6・8インチ | 裏面加工はキャリア上で |
| GaN-on-SiC・GaN-on-サファイア | コンタクト、エッチング、パッシベーション、バンプ。2〜4インチ | サファイア裏面加工はご相談 |
| GaAs・AlGaAs | 約5 µmまでのメサ・トレンチエッチ、オーミックコンタクト、裏面金属。2〜4インチ | Al含有層はICP-RIEでエッチング |
| InP | 低温コンタクトとパッシベーション、メサエッチ。2〜3インチ | 熱バジェットは積層ごとに取り決め |
| コンタクト | リフトオフ金属スタック、最高1000°CのRTA | コンタクト特性はドーピング、表面処理、アニールに依存 |
III-Vのお見積りのために
| 項目 | あると助かる情報 |
|---|---|
| エピ構造 | ドーピングと厚さ付きの層構成、またはウェーハに付属のデータシート |
| 工程 | どの工程を、どの順序で。既に完了している工程 |
| コンタクト | 金属の希望、目標接触抵抗、許容アニール温度 |
| エッチング | 深さ、重要寸法、マスク種別、形状要件 |
| 数量と段階 | 小片、ウェーハ、希望納期 |
発注前に確認されることの多い質問
GaNだけでなくGaAsやInPも加工できますか？
はい。GaAsとAlGaAsのメサ・トレンチエッチ、コンタクト、裏面金属。InPの低温コンタクトとパッシベーション。
GaN-on-SiにTSVを形成できますか？
はい。スロットビア、裏面メタライゼーション、RDLを含め、裏面加工はキャリア上で行います。
見積りに必要な情報は？
ドーピングと厚さ付きのエピ構造、順序付きの工程一覧、コンタクト目標と許容アニール温度、エッチ深さとCD、数量と納期。
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