陽極接合・
ガラス-シリコン接合
気密キャップ、マイクロ流体カバー、圧力基準室、蒸気セル向けに、ホウケイ酸ガラスとシリコンの電界支援接合、およびガラス-シリコン-ガラス積層を行います。キャビティ、電気フィードスルー、位置合わせを同一プログラムで扱います。
径
標準
標準
最低数量
MEMSに必要な構成でのガラス-シリコン接合
電圧と加熱：条件は材料と構造ごとに設定します。
キャップ・キャビティ接合
シリコン構造上のエッチングまたは穴あけ済みガラス、あるいはガラス上のシリコンキャップ。大気圧または制御圧力での封止キャビティ。
マイクロ流体カバー
シリコン流路上の貫通ポート付きガラス蓋、または加工ガラス上のシリコン。流体シールは取り決めに従い確認。
3層積層
蒸気セル、光学窓、両面センサー向けのシリコン-ガラス-シリコンおよびガラス-シリコン-ガラス。蒸気セル参照。
フィードスルー
接合リング下の金属配線、または封止キャビティへの電気アクセス用貫通シリコンビア。段差上の接合はレイアウトごとに検討。
位置合わせ接合
両ウェーハのマークに対する表面-表面、表面-裏面の位置合わせ。標準±5 µm。より高い位置合わせ精度は個別にご相談ください。
代替手法
熱バジェット上陽極接合が使えない場合の接着剤、低温直接、共晶ルート。ウェーハ接合参照。
陽極接合・ ガラス-シリコン接合
対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。
対応範囲の目安
| 項目 | 目安・条件 | 備考 |
|---|---|---|
| ガラス | シリコンに熱膨張を合わせたホウケイ酸ガラス（Borofloat系、Pyrex系）。無アルカリガラスは一般に陽極接合不可（接着・直接接合・中間層ルート） | お客様支給ガラスは評価のうえ対応 |
| シリコン | ベア、薄い酸化膜付き、パターン付き。SOI | 薄い酸化膜上の接合は検討 |
| 温度と電圧 | 300〜450°C。電圧は積層ごとに設定 | 低温長時間はご相談 |
| 位置合わせ | 標準±5 µm。より高い位置合わせ精度は個別にご相談ください | 両ウェーハにマークが必要 |
| キャビティ圧力 | 大気圧、制御ガス、減圧 | ゲッター内蔵はご相談 |
| 検査 | IR画像と光学検査による接合界面。気密・リーク試験は取り決めにより | プルテスト用犠牲ダイはご要望に応じて |
接合のお見積もりのために
| 項目 | あると助かる情報 |
|---|---|
| 両ウェーハ | それぞれの材料、厚さ、既存の膜と構造 |
| 接合レイアウト | 接合リング幅、キャビティ寸法、フィードスルー配線 |
| 位置合わせ | マーク位置と要求精度 |
| キャビティ | 必要な圧力またはガス、気密要件 |
| 数量 | ウェーハ組数と希望納期 |
発注前に確認されることの多い質問
自社のガラスを使えますか？
お客様支給のホウケイ酸ガラスは評価のうえ対応します。無アルカリガラスは一般に陽極接合できないため、接着・直接接合・中間層ルートをご提案します。
位置合わせ精度は？
両ウェーハにマークがある場合、標準±5 µm。より高い位置合わせ精度は個別にご相談ください。
キャビティを減圧で封止できますか？
はい。大気圧、制御ガス、減圧に対応します。ゲッター内蔵はご相談。
プロジェクトを開始しましょう。
通常1営業日以内にご連絡します。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。株式会社ナノシステムズJPのエンジニアが通常1営業日以内にご連絡します。正式なお見積書は、必要な情報の受領および事前に必要なNDAの締結後、通常7〜10営業日以内にご提出します。