ウェーハ接合

陽極接合・
ガラス-シリコン接合

気密キャップ、マイクロ流体カバー、圧力基準室、蒸気セル向けに、ホウケイ酸ガラスとシリコンの電界支援接合、およびガラス-シリコン-ガラス積層を行います。キャビティ、電気フィードスルー、位置合わせを同一プログラムで扱います。

すべての接合方法 →

ホウケイ酸-SiSi-ガラス-Si積層気密キャビティ位置合わせ接合貫通ガラスポート4〜8インチ
4〜8インチ
ウェーハ
300〜450°C
接合温度
標準
±5 µm
位置合わせ
標準
1組
ウェーハ組
最低数量
接合対象

MEMSに必要な構成でのガラス-シリコン接合

+ガラス(ホウケイ酸)シリコンキャビティ

電圧と加熱:条件は材料と構造ごとに設定します。

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キャップ・キャビティ接合

シリコン構造上のエッチングまたは穴あけ済みガラス、あるいはガラス上のシリコンキャップ。大気圧または制御圧力での封止キャビティ。

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マイクロ流体カバー

シリコン流路上の貫通ポート付きガラス蓋、または加工ガラス上のシリコン。流体シールは取り決めに従い確認。

🧪

3層積層

蒸気セル、光学窓、両面センサー向けのシリコン-ガラス-シリコンおよびガラス-シリコン-ガラス。蒸気セル参照。

📐

フィードスルー

接合リング下の金属配線、または封止キャビティへの電気アクセス用貫通シリコンビア。段差上の接合はレイアウトごとに検討。

🧩

位置合わせ接合

両ウェーハのマークに対する表面-表面、表面-裏面の位置合わせ。標準±5 µm、それ以上はご相談。

🔩

代替手法

熱バジェット上陽極接合が使えない場合の接着剤、低温直接、共晶ルート。ウェーハ接合参照。

概要

陽極接合・ ガラス-シリコン接合

対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。

4〜8インチ
ウェーハ 径
300〜450°C
接合温度 標準
±5 µm
位置合わせ 標準
1組
ウェーハ組 最低数量
ホウケイ酸-Si
Si-ガラス-Si積層
気密キャビティ
位置合わせ接合
貫通ガラスポート
4〜8インチ
対応範囲

対応範囲の目安

項目目安・条件備考
ガラスシリコンに熱膨張を合わせたホウケイ酸ガラス(Borofloat系、Pyrex系)。無アルカリガラスは検討お客様支給ガラスは評価のうえ対応
シリコンベア、薄い酸化膜付き、パターン付き。SOI薄い酸化膜上の接合は検討
温度と電圧300〜450°C。電圧は積層ごとに設定低温長時間はご相談
位置合わせ標準±5 µm両ウェーハにマークが必要
キャビティ圧力大気圧、制御ガス、減圧ゲッター内蔵はご相談
検査IR画像と光学検査による接合界面。気密・リーク試験は取り決めによりプルテスト用犠牲ダイはご要望に応じて
送っていただきたい情報

接合のお見積りのために

項目あると助かる情報
両ウェーハそれぞれの材料、厚さ、既存の膜と構造
接合レイアウト接合リング幅、キャビティ寸法、フィードスルー配線
位置合わせマーク位置と要求精度
キャビティ必要な圧力またはガス、気密要件
数量ウェーハ組数と希望納期
関連サービス

ウェーハ接合:この案件と組み合わせることが多い工程です。

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よくあるご質問

発注前に確認されることの多い質問

自社のガラスを使えますか?

お客様支給のホウケイ酸ガラスは評価のうえ対応します。無アルカリガラスは個別に検討します。

位置合わせ精度は?

両ウェーハにマークがある場合、標準±5 µm。それ以上はご相談。

キャビティを減圧で封止できますか?

はい。大気圧、制御ガス、減圧に対応します。ゲッター内蔵はご相談。

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