PECVD誘電体膜
SiO₂・SiN・SiON・SiCN・a-Si
完成デバイスが許容できる温度でのプラズマCVD膜：パッシベーション、層間絶縁膜、ハードマスク、メンブレン用低応力窒化膜、フォトニクス向け屈折率調整酸窒化膜、低誘電率バリア・エッチストップとしての炭窒化シリコン（SiCN）、水素化アモルファスシリコン。応力、屈折率、膜厚をお客様の積層に合わせて設定します。
温度
標準
屈折率
対応
成膜する膜とその目的
誘電体積層の模式図。各膜は膜厚、応力、屈折率で仕様を定めます。
酸化シリコン
層間絶縁膜、ハードマスク、ライナー、CMPストップ層向けのシランまたはTEOS酸化膜。熱酸化ができない場合の厚い酸化膜。
窒化シリコン
パッシベーションと防湿バリア。メンブレン、カンチレバー、リリース構造向けの低応力窒化膜。KOHやDRIEのエッチマスク。
酸窒化膜
導波路クラッド、AR層、応力バランス向けに酸化膜と窒化膜の間で屈折率を調整。
炭窒化シリコン（SiCN）
低誘電率のバリア・エッチストップ膜。Ru、TiN、Cuなどの金属層上に、低誘電率と拡散バリア性を両立するキャップ層として薄膜SiCNを成膜します。組成と密度はプロセスで調整し、膜厚は数十nmから。
アモルファスシリコン
犠牲層、TFTチャネル、光導電体、ハードマスク向けのa-Si・a-Si:H。水素含有量をプロセスで制御。
応力制御
圧縮から引張までの膜と、表裏バランス積層による成膜後の反り制御。
低温ルート
ポリマー、III-V、完成CMOS表面向けの150〜200°C成膜。
PECVD誘電体膜 SiO₂・SiN・SiON・a-Si
対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。
対応範囲の目安
記載はプロセスウィンドウの代表値です。お客様の膜の仕様は見積書に明記します。
| 項目 | 目安・条件 | 備考 |
|---|---|---|
| 膜 | SiO₂（シラン、TEOS）、SiN、SiON、SiCN、a-Si、a-Si:H、SiC | DLC、ドープ酸化膜はご相談 |
| 膜厚 | 1膜あたり50 nm〜5 µm。SiCNキャップ層は約20 nmから | 複数回成膜でそれ以上 |
| 温度 | 150〜400°C | 熱バジェットに合わせて選定 |
| 応力 | 圧縮〜引張で調整可能。低応力窒化膜あり | ウェーハ反りでロットごとに測定 |
| 屈折率 | SiONで約1.46〜2.0の間で調整 | エリプソメトリはご要望に応じて |
| 形態 | 小片、300 mmまでのウェーハ、500×600 mmまでのパネル | パネル成膜は案件ごとに確認 |
PECVDのお見積りのために
| 項目 | あると助かる情報 |
|---|---|
| 膜 | 材料、膜厚と公差、応力目標、屈折率目標 |
| 基板 | 材料、サイズ、既存の膜と表面形状 |
| 熱バジェット | 許容最高温度 |
| 後工程 | 膜が耐える必要のある工程：エッチング、CMP、接合、リフロー |
| 数量 | 小片、ウェーハ、パネルの数量と希望納期 |
発注前に確認されることの多い質問
膜応力を調整できますか？
はい。圧縮から引張まで、メンブレン用低応力窒化膜を含め対応します。応力はロットごとにウェーハ反りで測定します。
最低成膜温度は？
ポリマー、III-V、完成CMOS表面向けに150°Cのルートがあります。
パネルに成膜できますか？
はい。500×600 mmまでのパネルに、案件ごとに確認のうえ対応します。
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