フォトニックデバイス
製作受託
窒化シリコンまたはSOIプラットフォーム上に、お客様のGDSから導波路、グレーティング、共振器、カプラを製作します：電子ビームまたはステッパーリソグラフィ、側壁を測定するICP-RIE、PECVDまたはALDクラッド、熱光学ヒーター、エッジカプラのファセット、ファイバ実装用V溝。ウェーハ1枚からパイロットロットまで、計測項目を製作前に定めます。
プラットフォーム
パターン寸法
径
発注数量
フォトニックチップの受動・熱光学素子
このページの各素子は、成膜、リソグラフィ、エッチング、クラッドの定義された順序で製作され、側壁粗さと寸法精度が品質の尺度です。お客様のレイアウトでその順序を実行し、測定結果を報告します。
模式図（縮尺不同）。埋込酸化膜上のSiNまたはSiのストリップ導波路コア、PECVDまたはALD酸化膜の上部クラッド、クラッド上の任意の金属ヒーター。コア寸法とクラッド厚は設計に応じて設定します。
窒化シリコン導波路
熱酸化膜上のLPCVDまたはPECVD SiNコア。電子ビームまたはステッパーでパターニングし、ICP-RIEでエッチング。厚いコアには低応力窒化膜。屈折率はロットごとに報告。
SOI導波路・グレーティング
SOIデバイス層のストリップ・リブ導波路、グレーティングカプラ、ブラッグ構造。全エッチと部分エッチ。側壁角度と粗さを測定。
リング共振器・カプラ
電子ビームリソグラフィによるギャップ制御のリング、方向性結合器、MMI。CDとギャップをレイアウトと照合して報告。
ヒーター・金属
クラッド上の熱光学ヒーター（TiN、NiCr、Pt）とコンタクト金属。プローブまたはワイヤボンディング用パッド。
ファセット・V溝・ダイシング
エッチングまたは研磨によるエッジカプラのファセット、ファイバ実装用V溝、チップ分離のステルスダイシング。光学ベンチ参照。
フォトニックデバイス 製作受託
対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。
対応範囲の目安
記載はプロセスウィンドウの代表値です。仕様と測定項目はレイアウトごとに見積書に明記します。
| 項目 | 目安・条件 | 備考 |
|---|---|---|
| プラットフォーム | 酸化膜上SiN（コア200〜800 nm）、SOI（220 nmおよびその他のデバイス層）、シリカ・オン・シリコン | お客様支給または当社調達 |
| リソグラフィ | 100 nm未満のパターンとギャップは電子ビーム。大きな寸法はステッパーまたはコンタクト | 長い素子のフィールドスティッチングを検討 |
| エッチング | 全エッチ・部分エッチのICP-RIE。側壁角度と粗さを測定 | ICP-RIE参照 |
| クラッド | PECVD SiO₂ 1〜3 µm。ギャップ充填にALD SiO₂ | 積層ごとに応力バランス |
| ヒーター | TiN、NiCr、PtにAlまたはAuパッド | 抵抗値を報告 |
| ウェーハサイズ | 4〜8インチ。実現可能性検討用の小片 | ステルスダイシングによるチップ納品 |
| 計測 | SEM、AFM粗さ、エリプソメトリ、光学顕微鏡。光学試験は取り決めにより | 製作前に定義 |
GDSから測定済みチップまで
- 01確認レイアウト、プラットフォーム、重要寸法とギャップ、クラッドとヒーターの要否。
- 02定義計測計画を含む工程順序。新規の組み合わせはクーポンで試験。
- 03製作取り決めた順序で成膜、リソグラフィ、エッチング、クラッド、金属。
- 04測定取り決めによりCD、側壁、粗さ、膜厚、屈折率。
- 05ダイシング・納品ステルスダイシングによるチップ。必要に応じファセット処理。
発注前に確認されることの多い質問
光学特性の試験も行いますか？
製作計測（CD、側壁、粗さ、膜データ）は標準です。伝搬損失やカプラ効率などの光学試験は、合意した項目として別途見積もります。
自社のSOIウェーハで製作できますか？
はい。デバイス層、酸化膜、表面状態を確認のうえ、お客様支給のSOIやSiNウェーハに対応します。当社での調達も可能です。
見積りに必要な情報は？
レイヤーマップ付きGDS、プラットフォームと層厚、最小パターンとギャップ、クラッドとヒーターの要否、ファセットやV溝の要件、数量と納期。
プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内を目安にご連絡いたします。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。株式会社ナノシステムズJPのエンジニアが1営業日以内を目安にご連絡いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。