ステルスダイシング・
レーザーダイシング受託
300 mmまでのシリコンとガラスのステルスダイシング、脆性材料や低誘電率層向けのレーザーダイシングとグルービング、適する場合はブレードダイシング。薄ウェーハ、MEMS・フォトニクスダイ、ガラスインターポーザ、SiCに、材料とダイサイズに合わせた方式で1枚から対応します。
ウェーハ径まで
カーフロス
キャリア・フレーム上で
発注数量
3つのレーザー方式と使い分け
ステルスダイシングはウェーハ内部にレーザーを集光し、テープ拡張で個片化します。カーフロスなし、水なし、表面のチッピングなし。レーザーグルービングは金属や低誘電率層を先に除去し、ブレードで仕上げます。フルレーザーダイシングはブレードでは欠ける薄い脆性材料をアブレーションで切断します。
模式図（縮尺不同）。表面下にレーザーを集光して改質層を形成し、フレームテープを拡張して個片化します。改質層数と拡張条件は材料と厚さに応じて設定します。
ステルスダイシング
300 mmまでのシリコン・ガラスウェーハ、フレーム上の薄ウェーハ、リリース構造を持つMEMS、ウェットのブレード加工が許容されないフォトニクスダイ。
レーザーグルービング＋ブレード
ストリートに評価構造、金属、低誘電率層があるウェーハ。剥離しやすい層をグルービングで除去し、ブレードでシリコンをきれいに切断。
フルレーザーダイシング
ブレードではチッピングやクラックが生じるガラス、溶融石英、サファイア、SiC、極薄ウェーハ。形状と端面品質は材料ごとに確認。
薄ダイ向けSDBG
研削前ステルスダイシング。先に改質層を形成し、キャリア上で薄化して目標厚さで個片化。薄ウェーハをソーに通しません。
ステルスダイシング・ レーザーダイシング受託
対応範囲と仕様の選択肢です。各値は案件ごとに見積書で確定します。
対応範囲の目安
記載はプロセスウィンドウの代表値です。端面品質、ダイ強度、チッピング基準は案件ごとに取り決めます。
| 項目 | 目安・条件 | 備考 |
|---|---|---|
| ウェーハ径 | 2〜12インチ（50〜300 mm）、小片、パネル | フレームとテープは径に応じて |
| 材料 | Si、SOI、ガラス、溶融石英、石英、サファイア、SiC、GaAs、InP | レーザー条件は材料ごと |
| 厚さ | 50 µm〜1 mm。SDBGで50 µmまで | 約200 µm以下はキャリアまたはフレーム支持 |
| ダイサイズ | 約0.3 mmから。任意の長方形、レーザーで非矩形も可 | ストリート幅は方式による。ステルスは約20 µmから |
| カーフ | ステルスはほぼゼロ。レーザーグルーブとブレードはレシピによる | ご要望に応じて測定 |
| 表面 | ステルスとレーザーは表面を濡らしません。バンプ・パターン付きは確認 | 必要に応じ保護フィルム |
| 納品 | フレーム・テープ上、トレイ、ゲルパック。マップ順にソート | 取り決めた基準で検査 |
ウェーハからソート済みダイまで
- 01確認材料、厚さ、ストリート、ダイサイズ、表面状態、目標端面品質。
- 02レシピ方式の選定。新規材料はクーポンで試験し端面を検査。
- 03マウント・加工フレームマウント、ステルスまたはレーザー加工、指定時はブレード。
- 04個片化テープ拡張またはブレード仕上げ。SDBGは薄化を先に実施。
- 05検査・納品基準に従いチッピング・端面を確認。トレイ、ゲルパック、マップ付きフレーム。
発注前に確認されることの多い質問
300 mmのガラスウェーハをダイシングできますか？
はい。ステルスまたはレーザー方式で、ガラスの種類と厚さに合わせて条件を設定します。端面品質はロット前にクーポンで確認します。
バンプ付きウェーハをダイシングできますか？
はい。ステルスとレーザー方式は表面を濡らしません。バンプ・パターン付きの表面は保護とストリート配置を確認します。
見積りに必要な情報は？
ウェーハの材料・直径・厚さ、ダイサイズとストリート幅、表面状態、納品形態、数量と納期。ウェーハマップやGDSがあれば助かりますが、初回回答には必須ではありません。
プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内を目安にご連絡いたします。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。株式会社ナノシステムズJPのエンジニアが1営業日以内を目安にご連絡いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。